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第三方参考

来源:第三方数据源非原厂公告

52 个原型号
原型号

CLC1003IST5X

MaxLinear, Inc.

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  • OPA725AIDBVRTexas Instruments相似型号
原型号

DA7281-00V42

Renesas Electronics Corporation

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  • DA7280-00V42Renesas Electronics Corporation参数相近
原型号

DA7283-01FV2

Renesas Electronics Corporation

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  • DA7283-01FVCRenesas Electronics Corporation参数相近
原型号

LM4819MX/NOPB

Texas Instruments

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  • TPA721DTexas Instruments相似型号
原型号

LM4900M/NOPB

Texas Instruments

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  • TPA721DTexas Instruments相似型号
原型号

MC34119D

NXP USA Inc.

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  • TPA721DTexas Instruments相似型号
原型号

MCP6H91-E/SN

Microchip Technology

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  • OPA725AIDRTexas Instruments相似型号
原型号

OPA725AIDBVR

Texas Instruments

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  • AD8091ARTZ-R7Analog Devices Inc.相似型号
原型号

OPA726AIDR

Texas Instruments

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  • OPA726AIDTexas Instruments相似型号
原型号

TA7291P(O)

Toshiba Semiconductor and Storage

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  • TB6640FTG,ELToshiba Semiconductor and Storage相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

353 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

IXFA72N20X3

IXYS

主要参数包括通道数 1 个通道、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 200 V、连续漏极电流(Id) 72 A、漏源导通电阻(Rds On) 20 mOhms,采用 TO-263-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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IXFA72N30X3

IXYS

主要参数包括通道数 1 个通道、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 300 V、连续漏极电流(Id) 72 A、漏源导通电阻(Rds On) 19 mOhms,采用 TO-263-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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IXFA72N30X3-TRL

IXYS

主要参数包括通道数 1 个通道、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 300 V、连续漏极电流(Id) 72 A、漏源导通电阻(Rds On) 19 mOhms,采用 TO-263-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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IXTA72N20T

IXYS

主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 200 V、连续漏极电流(Id) 72 A、漏源导通电阻(Rds On) 33 Ω、单件重量 0.056438 oz,采用 TO-263-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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LA72900VA-TLM-E

ON Semiconductor

主要参数包括湿敏性 是。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > Modulator / Demodulator
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LA72910V-TLM-H

ON Semiconductor

主要参数包括工作电源电压 5 V、类型 Modulator、调制格式 FM、最小工作温度 - 30 C、最大工作温度 + 70 C、湿敏性 是,采用 SSOP-16 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > Modulator / Demodulator
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LA72910VL-TLM-E

ON Semiconductor

主要参数包括湿敏性 是。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > Modulator / Demodulator
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LA72912V-TLM-H

ON Semiconductor

主要参数包括工作电源电压 5 V、类型 Modulator、调制格式 FM、最小工作温度 - 30 C、最大工作温度 + 70 C、湿敏性 是,采用 SSOP-24 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > Modulator / Demodulator
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LA72912VL-TLM-H

ON Semiconductor

主要参数包括湿敏性 是。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > Modulator / Demodulator
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LA72914V-TLM-H

ON Semiconductor

主要参数包括工作电源电压 5 V、类型 Modulator、调制格式 FM、最小工作温度 - 20 C、最大工作温度 + 70 C、湿敏性 是,采用 SSOP-16 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > Modulator / Demodulator
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