原型号
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Renesas Electronics Corporation
- 7133LA20JG8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
搜索结果
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 2 条候选ALD1703PAL
Advanced Linear Devices Inc.
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- OPA705PATexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 1 条候选CAT6241-ADJHU2MUTAG
onsemi
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- TPS7A7002DDARTexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 11 条候选LM4819MX/NOPB
Texas Instruments
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- TPA701DTexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 12 条候选LM4900M/NOPB
Texas Instruments
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- TPA701DTexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 8 条候选LT1800CS5#TRM
Analog Devices Inc.
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- OPA703NA/250Texas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 8 条候选LT1800IS5#TR
Analog Devices Inc.
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- OPA703NA/250Texas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 28 条候选MC34119D
NXP USA Inc.
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- TPA701DTexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 44 条候选OPA704NA/250G4
Texas Instruments
- OPA704NA/250Texas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号
查看详情 · 1 条候选SLA7075MR
Sanken Electric USA Inc.
- SLA7075MPRTSanken Electric USA Inc.第三方标注：厂商推荐
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
7133SA70GB
IDT
主要参数包括存储容量 32 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 PGA-68 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM7134LA70CB
IDT
主要参数包括存储容量 32 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 CDIP-SB-48 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM7134LA70L48B
IDT
主要参数包括高度 1.78 mm、长度 14.2 mm、宽度 14.22 mm、型号别名 7134 IDT7134LA70L48B，采用 LCC-48 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM7134SA70CB
IDT
主要参数包括高度 3.3 mm、长度 61.72 mm、宽度 15.24 mm、型号别名 7134 IDT7134SA70CB，采用 CDIP-SB-48 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM7134SA70L48B
IDT
主要参数包括高度 1.78 mm、长度 14.2 mm、宽度 14.22 mm、型号别名 7134 IDT7134SA70L48B，采用 LCC-48 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM7143LA70GB
IDT
主要参数包括高度 3.68 mm、长度 29.46 mm、宽度 29.46 mm、型号别名 7143 IDT7143LA70GB，采用 PGA-68 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM7143SA70GB
IDT
主要参数包括高度 3.68 mm、长度 29.46 mm、宽度 29.46 mm、型号别名 7143 IDT7143SA70GB，采用 PGA-68 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAMADPA7001CHIPS
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.5 V、工作频率 50～95 GHz、测试频率 90～95 GHz、技术 GaAs、类型 Wideband Power Amplifier，采用 Die 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierADPA7001CHIPS-SX
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.5 V、工作频率 50～95 GHz、测试频率 90～95 GHz、技术 GaAs、类型 Wideband Power Amplifier，采用 Die 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierADPA7002AEHZ
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 18～44 GHz、测试频率 34～44 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers，采用 LCC-16 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier