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ABLIC Inc.
- S-817A53APF-CVQTFUABLIC Inc.直接替代候选
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ABLIC Inc.
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Texas Instruments
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Torex Semiconductor Ltd
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Torex Semiconductor Ltd
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Torex Semiconductor Ltd
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Torex Semiconductor Ltd
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Torex Semiconductor Ltd
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原型号
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Torex Semiconductor Ltd
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Torex Semiconductor Ltd
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
AM6548BACDXEAF
Texas Instruments
该型号为微处理器（MPU），主要参数包括最大时钟频率 400 MHz, 1.1 GHz、数据 RAM 容量 512 kB、输入／输出数 242 个输入／输出、定时器／计数器数 16 个定时器、工作电源电压 1.1 V、接口类型 CAN, Ethernet, QSPI, SPI, UART, USB，采用 FCBGA-784 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microprocessors - MPUAM6734AKGHIAMWR
Texas Instruments
该型号为微处理器（MPU），主要参数包括最大时钟频率 1.4 GHz、数据 RAM 容量 512 kB、输入／输出数 147 个输入／输出、定时器／计数器数 14 个定时器、工作电源电压 1.8 V, 3.3 V、输入／输出电压 1.8 V, 3.3 V，采用 FCBGA-594 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microprocessors - MPUAM6754AKGHIAMWR
Texas Instruments
该型号为微处理器（MPU），主要参数包括最大时钟频率 1.4 GHz、数据 RAM 容量 512 kB、输入／输出数 147 个输入／输出、定时器／计数器数 14 个定时器、工作电源电压 1.8 V, 3.3 V、输入／输出电压 1.8 V, 3.3 V，采用 FCBGA-594 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microprocessors - MPUAM67A74AKGHIAMWR
Texas Instruments
该型号为微处理器（MPU），主要参数包括最大时钟频率 1.4 GHz、数据 RAM 容量 512 kB、输入／输出数 147 个输入／输出、定时器／计数器数 14 个定时器、工作电源电压 1.8 V, 3.3 V、输入／输出电压 1.8 V, 3.3 V，采用 FCBGA-594 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microprocessors - MPUAM67A94AKGHIAMWR
Texas Instruments
该型号为微处理器（MPU），主要参数包括最大时钟频率 1.4 GHz、数据 RAM 容量 512 kB、输入／输出数 147 个输入／输出、定时器／计数器数 14 个定时器、工作电源电压 1.8 V, 3.3 V、输入／输出电压 1.8 V, 3.3 V，采用 FCBGA-594 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microprocessors - MPUBGA535N6E6327XTSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 1.1～3.3 V、工作频率 1.164～1.615 GHz、工作电源电流 1.5 mA、噪声系数（NF） 0.9 dB、1 dB 压缩点（P1dB） - 14 dBm，采用 PG-TSNP-6 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierBMA530
Bosch Sensortec
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 1.62 V、接口类型 I2C, SPI、加速度 2 g, 4 g, 8 g, 16 g、分辨率 16 位、工作电源电流 125 uA，采用 WLCSP-6 封装。
半导体 > Sensor ICs > AccelerometersCA531
MACOM
RF Amplifier 10-500MHz NF 2.0dB Pout 2.5dBm SMA Conn
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierFDMA530PZ
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 6.8 A，采用 MicroFET-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETFDMA530PZ
onsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 6.8 A，采用 MicroFET-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs