搜索结果

原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
HX21333002	Diodes Incorporated	HX2A333003	2024-06-25	查看资料
KA339	onsemi	LM339DR2G	2019-11-04	查看资料
KA339A	onsemi	LM339DR2G	2019-11-04	查看资料
KA339ADTF	onsemi	LM339DR2G	2019-11-04	查看资料
KA339DTF	onsemi	LM339DR2G	2019-11-04	查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

115 个原型号

原型号

AD8515ARTZ-REEL

Analog Devices Inc.

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OPA333AMDBVREPTexas Instruments相似型号

原型号

AP2121AK-3.3TRG1-1

Diodes Incorporated

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XC6217A332MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近

原型号

BA33BC0WFP-E2

Rohm Semiconductor

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LD29080PT33RSTMicroelectronics相似型号

原型号

BA33BC0WT-V5

Rohm Semiconductor

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LT1963ET-3.3#06PBFAnalog Devices Inc.相似型号

原型号

INA332AIDGKRG4

Texas Instruments

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INA332AIDGKRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐

原型号

LD6806TD/33H,125

NXP USA Inc.

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XC6221A332MR-GTorex Semiconductor Ltd相似型号

原型号

LMV751M5X/NOPB

Texas Instruments

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OPA337NA/250Texas Instruments相似型号

原型号

LP38691DT-3.3

Texas Instruments

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BA33BC0FP-E2Rohm Semiconductor相似型号

原型号

LP8340CDTX-3.3/NOPB

Texas Instruments

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BA33BC0FP-E2Rohm Semiconductor相似型号

原型号

MAX4074BJEUK-T

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

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OPA337NA/250Texas Instruments相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

552 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

15KPA33A

Littelfuse

该型号为二极管，主要参数包括极性 Unidirectional、端接方式 Axial、击穿电压 40.4 V、工作电压 33 V、钳位电压 54.7 V、峰值脉冲电流（Ipp） 276.1 A，采用 P600-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors

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15KPA33CA

Littelfuse

该型号为二极管，主要参数包括极性 Bidirectional、端接方式 Axial、击穿电压 40.4 V、工作电压 33 V、钳位电压 54.7 V、峰值脉冲电流（Ipp） 276.1 A，采用 P600-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors

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30KPA33A

Littelfuse

该型号为二极管，主要参数包括极性 Unidirectional、端接方式 Axial、击穿电压 36.9 V、工作电压 33 V、钳位电压 58.5 V、峰值脉冲电流（Ipp） 517.9 A，采用 P600-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors

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30KPA33CA

Littelfuse

该型号为二极管，主要参数包括极性 Bidirectional、端接方式 Axial、击穿电压 36.9 V、工作电压 33 V、钳位电压 58.5 V、峰值脉冲电流（Ipp） 517.9 A，采用 P600-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors

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APTM100DA33T1G

Microchip / Microsemi

该型号为半导体器件。

半导体 > 分立半导体 > Discrete Semiconductor Modules

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BA3308F-E2

ROHM Semiconductor

主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 14 V、电源电压（最小值） 4.5 V、类型 Dual Preamplifier、放大器类型 Line Amplifier、供电类型 Single，采用 SOP-14 封装。

半导体 > 集成电路 > Audio ICs > Audio Amplifiers

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BA3308FV-E2

ROHM Semiconductor

主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 14 V、电源电压（最小值） 4.5 V、类型 2-Channel Preamplifier、输出类型 2 Channel Stereo、供电类型 Single，采用 SOP-14 封装。

半导体 > 集成电路 > Audio ICs > Audio Amplifiers

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BA33B00FP-E2

ROHM Semiconductor

该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 3.3 V, Adj、输出电压范围 1.242～5 V、输出电流 1 A, 500 mA、输出类型 Adjustable, Fixed、类型 Low Dropout Voltage Regulator、输出数 2 Output，采用 TO-252-5 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage Regulators

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BA33BC0FP-E2

ROHM Semiconductor

该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 3.3 V、输出电流 1 A、输出类型 Fixed、输出数 1 Output、极性 Positive、输入电压（最大值） 16 V，采用 TO-252-3 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage Regulators

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BA33BC0T

ROHM Semiconductor

该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 3.3 V、输出电流 1 A、输出类型 Fixed、输出数 1 Output、极性 Positive、输入电压（最大值） 16 V，采用 TO-220-3 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage Regulators

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