ADA4896-2ARMZ-RL
Analog Devices Inc.
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- OPA2703EA/250Texas Instruments相似型号
来源:第三方数据源非原厂公告
Analog Devices Inc.
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Advanced Linear Devices Inc.
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Texas Instruments
onsemi
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Analog Devices Inc./Maxim Integrated
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技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Texas Instruments
主要参数包括电源电压(最大值) 18 V、电源电压(最小值) 2.7 V、放大器类型 Current Sense、增益带宽积(GBP) 130 kHz、共模电压(Vcm) - 16 V to 80 V、共模抑制比(CMRR) 100 dB,采用 CFP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Current Sense AmplifiersTexas Instruments
主要参数包括电源电压(最大值) 18 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 2.7~18 V、输出电压 20 V、共模抑制比(CMRR) 100 dB、输入失调电压(Vos) 2.5 mV,采用 CFP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Current Sense AmplifiersTexas Instruments
主要参数包括电源电压(最大值) 18 V、电源电压(最小值) 2.7 V、放大器类型 Current Shunt Monitor、增益带宽积(GBP) 130 kHz、共模电压(Vcm) - 16 V to 80 V、共模抑制比(CMRR) 100 dB,采用 Die 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Current Sense AmplifiersTexas Instruments
主要参数包括电源电压(最大值) 18 V、电源电压(最小值) 2.7 V、放大器类型 High-Side Current Sense Amplifier、增益带宽积(GBP) 130 kHz、共模电压(Vcm) - 16 V to 80 V、共模抑制比(CMRR) 100 dB,采用 Die 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Current Sense AmplifiersIXYS
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 1200 V、集电极-发射极饱和电压 1.8 V、最大栅射电压 20 V、25°C 时连续集电极电流 43 A,采用 ISOPLUS 247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT TransistorsZiLOG
该型号为低压差线性稳压器(LDO)。
半导体 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Linear Voltage RegulatorsZiLOG
该型号为低压差线性稳压器(LDO)。
半导体 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Linear Voltage RegulatorsZiLOG
该型号为低压差线性稳压器(LDO)。
半导体 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Linear Voltage RegulatorsZiLOG
该型号为低压差线性稳压器(LDO)。
半导体 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Linear Voltage RegulatorsIXYS
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 60 V、连续漏极电流(Id) 270 A,采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET