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原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
2SA1774G	onsemi	2SA1774T1G	2021-07-07	查看资料
2DA1774QLP-7-1	Diodes Incorporated	2DA1774QLP-7B	2021-03-15	查看资料
2DA1774S-7-F	Diodes Incorporated	2DA1774R-7-F	2021-03-15	查看资料
2DA1797-13-79	Diodes Incorporated	2DA1797-13	2021-03-15	查看资料
M1MA142KT1G	onsemi	M1MA174T1G		查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

50 个原型号

原型号

BA17807T

Rohm Semiconductor

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BA07CC0TRohm Semiconductor相似型号

原型号

BA17815T

Rohm Semiconductor

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BA17815CP-E2Rohm Semiconductor相似型号

原型号

BA178M06T

Rohm Semiconductor

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BA178M06CP-E2Rohm Semiconductor相似型号

原型号

BA178M09FP-E2

Rohm Semiconductor

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UA78M09CKVURG3Texas Instruments直接替代候选

原型号

BA78M12CP-E2

Rohm Semiconductor

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命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

BA178M12CP-E2Rohm Semiconductor第三方标注：厂商推荐

原型号

L78M05T-TR-E

onsemi

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BA178M05CP-E2Rohm Semiconductor相似型号

原型号

L78M24ABDT-TR

STMicroelectronics

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BA17824FP-E2Rohm Semiconductor相似型号

原型号

LT1167CS8-1#TRPBF

Analog Devices Inc.

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OPA177GS/2K5Texas Instruments相似型号

原型号

LT1880IS5#TRPBF

Analog Devices Inc.

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OPA172IDBVRTexas Instruments相似型号

原型号

MC7809ECDTX

onsemi

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BA17809FP-E2Rohm Semiconductor相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

686 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

2SA1774E3TLQ

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-416-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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2SA1774EBTLP

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V，采用 SOT-416-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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2SA1774EBTLQ

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 500 V。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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2SA1774EBTLR

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V，采用 SOT-416-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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2SA1774EBTLS

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V，采用 SOT-416-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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2SA1774G

ON Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V，采用 SC-75-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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2SA1774T1G

ON Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V，采用 SC-75-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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2SA1774T1G

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SC-75-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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2SA1774TLQ

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、最大直流集电极电流 0.15 A，采用 SOT-416-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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2SA1774TLR

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、最大直流集电极电流 0.15 A，采用 SOT-416-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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