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原厂资料

4 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
BR281W31A101V1Gonsemi
  • B300W35A109XXG
2023-12-22查看资料
QS4A101QGRenesas
  • QS3125QG
2022-02-28查看资料
QS4A101QG8Renesas
  • QS3125QG8
2022-02-28查看资料
H3TRBonsemi
  • JEDS22A101
2020-11-13查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

9 个原型号
原型号

74AVC1T45FW5-7

Diodes Incorporated

查看详情 · 20 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • FXLA101L6Xonsemi相似型号
原型号

74AVC1T45GS,132

Nexperia USA Inc.

查看详情 · 12 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • FXLA101L6Xonsemi相似型号
原型号

74AXP1T45GXZ

Nexperia USA Inc.

查看详情 · 13 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • FXLA101L6Xonsemi相似型号
原型号

DS15BA101SD/NOPB

Texas Instruments

查看详情 · 1 条候选
  • DS15BA101SDE/NOPBTexas Instruments参数相近
原型号

DS15BA101SDE/NOPB

Texas Instruments

查看详情 · 1 条候选
  • DS15BA101SD/NOPBTexas Instruments参数相近
原型号

NTS0101GS,132

NXP USA Inc.

查看详情 · 10 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • FXLA101L6Xonsemi相似型号
原型号

PIC24F08KA101T-I/SS

Microchip Technology

查看详情 · 1 条候选
  • PIC24F08KA101-I/SSMicrochip Technology直接替代候选
原型号

QS4A101QG

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • QS3125QGRenesas Electronics Corporation第三方标注：厂商推荐
原型号

XC6603A101ER-G

Torex Semiconductor Ltd

查看详情 · 2 条候选
  • XC6604A101ER-GTorex Semiconductor Ltd参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

166 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

FXLA101L6X

ON Semiconductor / Fairchild

主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.1 V、高电平输出电流 - 11.4 mA、低电平输出电流 + 11.4 mA、逻辑类型 Low Voltage Translator、最小工作温度 - 40 C，采用 MicroPak 封装。

半导体 > 集成电路 > Logic ICs > Translation - Voltage Levels
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FXLA101L6X

onsemi

主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.1 V、类型 Dual Supply Level Translator、逻辑类型 Low Voltage Translator、传播延迟时间 9.2 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 MicroPak-6 封装。

半导体 > Logic ICs > Translation - Voltage Levels
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GA101

Microchip / Microsemi

主要参数包括额定重复断态电压（VDRM） 60 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 0.005 uA、通态有效值电流（It RMS） 400 mA、门极触发电压（Vgt） 0.5 V、最大维持电流（Ih） 0.7 mA、最小工作温度 - 65 C，采用 TO-18-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs
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GBJA1010-BP

Micro Commercial Components (MCC)

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 JA-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers
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GTVA101K42EV-V1-R0

MACOM

该型号为氮化镓场效应晶体管，主要参数包括技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、原产国家或地区 美国。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 氮化镓场效应晶体管
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GTVA101K42EV-V1-R250

MACOM

该型号为氮化镓场效应晶体管，主要参数包括技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）、原产国家或地区 美国。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 氮化镓场效应晶体管
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INA101AG

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 40 V、电源电压（最小值） 10 V、双电源电压 +/- 15 V、工作电源电压 10～40 V、每通道输出电流 10 mA，采用 CDIP-SB-14 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers
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INA101AM

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 40 V、电源电压（最小值） 10 V、双电源电压 +/- 15 V、工作电源电压 10～40 V、每通道输出电流 10 mA，采用 TO-10 CAN 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers
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INA101CM

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 40 V、电源电压（最小值） 10 V、双电源电压 +/- 15 V、工作电源电压 10～40 V、每通道输出电流 10 mA，采用 TO-10 CAN 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers
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INA101HP

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 40 V、电源电压（最小值） 10 V、双电源电压 +/- 15 V、工作电源电压 10～40 V、每通道输出电流 10 mA，采用 PDIP-14 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers
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