原型号
查看详情 · 9 条候选S-19105N35H-M5T1U
ABLIC Inc.
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- S-19104N35H-M5T1UABLIC Inc.参数相近
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技术资料参考
芯片技术资料
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4N35S-TA
Lite-On
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 3550 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output Optocouplers4N35S-TA
LITEON
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 3550 Vrms、电流传输比（最小值） 100 %、正向电流（If） 60 mA、正向电压（Vf） 1.5 V，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output Optocouplers4N35S-TA1
Lite-On
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 3550 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output Optocouplers4N35SM
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、隔离电压 7500 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 SMD-DIP-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output Optocouplers4N35SR2M
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、隔离电压 7500 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 SMD-DIP-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output Optocouplers4N35SR2VM
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、隔离电压 7500 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 SMD-DIP-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output Optocouplers4N35SVM
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、隔离电压 7500 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 SMD-DIP-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output Optocouplers4N35TVM
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、隔离电压 7500 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 PDIP-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output Optocouplers4N35VM
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、隔离电压 7500 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 PDIP-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output OptocouplersR1114N351B-TR-FE
Ricoh Electronic Devices Company
该型号为低压差线性稳压器（LDO），采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage Regulators