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onsemi
- LP5951MGX-2.8/NOPBTexas Instruments相似型号
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MMBZ4681-E3-18
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 2.4 V、耗散功率（Pd） 350 mW、电压容差 5 %、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、配置 Single，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMBZ4681-G3-08
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 2.4 V、耗散功率（Pd） 350 mW、电压容差 5 %、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、配置 Single，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMBZ4681-G3-18
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 2.4 V、耗散功率（Pd） 350 mW、电压容差 5 %、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、配置 Single，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMBZ4681-HE3-08
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 2.4 V、耗散功率（Pd） 350 mW、电压容差 5 %、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、配置 Single，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMBZ4681-HE3-18
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 2.4 V、耗散功率（Pd） 350 mW、电压容差 5 %、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、配置 Single，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMSZ4681 RHG
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 2.4 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、配置 Single，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMSZ4681-E3-08
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 2.4 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 2 uA、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMSZ4681-E3-18
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 2.4 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 2 uA、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMSZ4681-G3-08
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 2.4 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 2 uA、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMSZ4681-G3-18
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 2.4 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 2 uA、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-123-2 封装。
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