TGA2307
Qorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 5～6 GHz、测试频率 6 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifier，采用 4.28 mm x 4.26 mm x 0.1 mm 封装。
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芯片技术资料
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TGA2307-SM
Qorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 5～6 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifier、增益 20 dB，采用 QFN-40 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierTGA2307-SMTR7
RFMD (Qorvo)
主要参数包括湿敏性 是。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierTSM2307CX
Taiwan Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、类型 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETTSM2307CX RFG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 3 A、漏源导通电阻（Rds On） 95 mOhms，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET