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原厂资料

3 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
1N5818onsemi
  • 1N5818G
2020-04-01查看资料
SB10-03A2onsemi
  • 1N5818
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SB10-03A3onsemi
  • 1N5818
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技术资料参考

芯片技术资料

36 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

1N5818H

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括产品 Schottky Rectifiers、认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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1N5818HR0

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q101。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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1N5818HR0G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q101。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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1N5818RLG

ON Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 125 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Rectifiers、正向电流(If) 1 A、重复反向电压(Vrrm) 30 V,采用 DO-41 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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1N5818RLG

onsemi

该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流(If) 1 A、重复反向电压(Vrrm) 30 V、正向电压(Vf) 875 mV,采用 DO-41 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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1N5818W-T

Rectron

该型号为二极管,主要参数包括原产国家或地区 中国。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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