1N4746AGe3
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 18 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 0.1 uA、稳压管阻抗（Zz） 20 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-41-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
1N4746AGe3
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 18 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 20 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-41 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4746AHA0G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 18 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 14 mA、稳压管阻抗（Zz） 20 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-41-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4746AHB0G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 18 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 14 mA、稳压管阻抗（Zz） 20 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-41-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4746AHR0
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4746AHR0G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4746AHR1G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 18 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 14 mA、稳压管阻抗（Zz） 20 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-41-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4746AP-AP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4746AP-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 18 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 5 uA、稳压管阻抗（Zz） 20 Ω、最小工作温度 - 65 C。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4746AP/TR12
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 18 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 50 mA、稳压管阻抗（Zz） 20 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-41-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes