SISS4402DN-T1-UE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 TrenchFET Gen IV Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 128 A，采用 PowerPAK-1212-8S 封装。
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SISS4409DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 59.2 A、漏源导通电阻（Rds On） 9 mOhms，采用 PowerPAK-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsSISS4410DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 36 A、漏源导通电阻（Rds On） 9 mOhms，采用 PowerPAK-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsSISS46DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel TrenchFET Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 45.3 A，采用 PowerPAK-1212-8S 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSISS46DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel TrenchFET Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 45.3 A，采用 PowerPAK-1212-8S 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsSNSS40600CF8T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTTCB702FNG,EL
Toshiba
Audio Amplifiers Audio Power Amplifier, Class-TB Enhanced Efficiency Linear Class4-ch, 45W/ch, 18V, THD 0.02%, I2C, AEC-Q100, 4 Ohm Load, Full Protections with Full Time DC Offset, HSOP36 Package
半导体 > Audio ICs > Audio AmplifiersTSS40L
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersTSS40L RW
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 40 mA、重复反向电压（Vrrm） 40 V、正向电压（Vf） 1 V、正向浪涌电流（Ifsm） 600 mA，采用 1005 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersTSS40L RWG
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 40 mA、重复反向电压（Vrrm） 40 V、正向电压（Vf） 1 V、正向浪涌电流（Ifsm） 600 mA，采用 1005 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers