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13 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
71V67903S80PFGRenesas
  • 71V67903S80BG
2022-02-28查看资料
71V67903S80PFG8Renesas
  • 71V67903S80BG8
2022-02-28查看资料
71V67903S80PFGIRenesas
  • 71V67903S80BQI
2022-02-28查看资料
71V67903S80PFGI8Renesas
  • 71V67903S80BQI8
2022-02-28查看资料
ADXRS300WABGZA-RLAnalog Devices
  • ADXRS800WBRGZ-RL
2018-02-23查看资料
42019293Infineon
  • S29GL064S80DHB020
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7GA6Y0020Infineon
  • S29GL064S80TFB040
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A2C00045435AInfineon
  • S29GL064S80BHB043
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A2C00045440AInfineon
  • S29GL064S80BHB043
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FSS804-TL-Eonsemi
  • NTMS4802N
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MPS8098Gonsemi
  • MPS8099G
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MPS8099RLRMGonsemi
  • MPS8099RLRAG
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STPS1045HRSTMicroelectronics
  • STPS80A45CHR
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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

49 个原型号
原型号

71V2546S100PFG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V2546S133PFG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V2556S100PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V2556S166PFG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V25761S183PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V3557S80PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V2556S150PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V35761S166BG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80BGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V35761S166PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V35761S183BGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80BGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V3577S75BGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80BGIRenesas Electronics Corporation相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

649 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

IPS80R2K0P7AKMA1

Infineon Technologies

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 800 V、连续漏极电流（Id） 3 A，采用 IPAK-SL-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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IPS80R2K4P7AKMA1

Infineon Technologies

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 800 V、连续漏极电流（Id） 2.5 A，采用 IPAK-SL-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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IPS80R600P7AKMA1

Infineon Technologies

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 800 V、连续漏极电流（Id） 8 A，采用 IPAK-SL-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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IPS80R750P7AKMA1

Infineon Technologies

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 800 V、连续漏极电流（Id） 7 A，采用 IPAK-SL-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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IPS80R900P7AKMA1

Infineon Technologies

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 800 V、连续漏极电流（Id） 6 A，采用 IPAK-SL-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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IXFH12N80P

IXYS

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 800 V、连续漏极电流（Id） 12 A，采用 TO-247-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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IXFH14N80P

IXYS

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、类型 PolarHV HiPerFET Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 800 V，采用 TO-247-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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IXFH24N80P

IXYS

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 800 V、连续漏极电流（Id） 24 A，采用 TO-247-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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IXFN60N80P

IXYS

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 800 V、连续漏极电流（Id） 53 A，采用 SOT-227-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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IXFR44N80P

IXYS

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、类型 PolarHV HiPerFET Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 800 V，采用 TO-247-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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