LD29300D2M50
STMicroelectronics
- MIC29150-5.0WUMicrochip Technology相似型号
18 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| VC-806-HDE-FAAN-212M500000 | Microchip |
| 2023-06-06 | 查看资料 |
| VCC6-LCF-212M500000 | Microchip |
| 2023-06-06 | 查看资料 |
| FM5000002 | Diodes Incorporated |
| 2023-03-30 | 查看资料 |
| FSAM50SM60A | onsemi |
| 2021-04-08 | 查看资料 |
| STK5F1U3E3D-E | onsemi |
| 2021-01-29 | 查看资料 |
| AD5161BRM50 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5161BRM50-RL7 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5173BRM50 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5173BRM50-RL7 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5243BRM50-RL7 | Analog Devices |
| 2012-04-19 | 查看资料 |
| LM5025DMTC/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5025DMTCX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5027AMH/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5027AMHX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5027ASQ/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5035DMHX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5037MT/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5037MTX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 |
来源:第三方数据源非原厂公告
STMicroelectronics
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STMicroelectronics
Lattice Semiconductor Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Texas Instruments
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技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Lattice
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括总存储容量 4248 kbit、输入/输出数 270 个输入/输出、工作电源电压 1.2 V、电源电压(最大值) 1.26 V、电源电压(最小值) 1.14 V、最大工作频率 357 MHz,采用 FPBGA-484 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayLattice
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括总存储容量 4248 kbit、输入/输出数 270 个输入/输出、工作电源电压 1.2 V、电源电压(最大值) 1.26 V、电源电压(最小值) 1.14 V、产品 ECP2M,采用 FPBGA-484 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayLattice
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括总存储容量 4248 kbit、输入/输出数 372 个输入/输出、工作电源电压 1.2 V、电源电压(最大值) 1.26 V、电源电压(最小值) 1.14 V、产品 ECP2M,采用 FPBGA-672 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayLattice
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括总存储容量 4248 kbit、输入/输出数 372 个输入/输出、工作电源电压 1.2 V、电源电压(最大值) 1.26 V、电源电压(最小值) 1.14 V、产品 ECP2M,采用 FPBGA-672 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayLattice
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括总存储容量 4248 kbit、输入/输出数 410 个输入/输出、工作电源电压 1.2 V、电源电压(最大值) 1.26 V、电源电压(最小值) 1.14 V、产品 ECP2M,采用 fpBGA-900 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayLattice
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括总存储容量 4248 kbit、输入/输出数 410 个输入/输出、工作电源电压 1.2 V、电源电压(最大值) 1.26 V、电源电压(最小值) 1.14 V、产品 ECP2M,采用 fpBGA-900 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayLattice
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括总存储容量 4248 kbit、输入/输出数 270 个输入/输出、工作电源电压 1.2 V、电源电压(最大值) 1.26 V、电源电压(最小值) 1.14 V、产品 ECP2M,采用 FPBGA-484 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayLattice
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括总存储容量 4248 kbit、输入/输出数 372 个输入/输出、工作电源电压 1.2 V、电源电压(最大值) 1.26 V、电源电压(最小值) 1.14 V、产品 ECP2M,采用 FPBGA-672 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayLattice
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括总存储容量 4248 kbit、输入/输出数 410 个输入/输出、工作电源电压 1.2 V、电源电压(最大值) 1.26 V、电源电压(最小值) 1.14 V、产品 ECP2M,采用 fpBGA-900 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate ArraySTMicroelectronics
该型号为低压差线性稳压器(LDO),主要参数包括输出电压 5 V、输出电流 150 mA、输出类型 Fixed、输出数 1 Output、极性 Positive、静态电流 250 uA,采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage Regulators