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搜索结果

原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
PI7C9X20303ULAZPEX	Diodes Incorporated	PI7C9X2G304EVAZXAEX	2026-01-22	查看资料
IHCM2321AAEG301N10	Vishay	ICMS2321AGEG281N10	2025-09-11	查看资料
G30H150CTFW	Diodes Incorporated	SDT30150GCTSP	2022-08-29	查看资料
G30H150CTW	Diodes Incorporated	SDT30150GCT	2022-08-29	查看资料
RHRG1560CC-F085	onsemi	RURG3060CC-F085	2021-04-08	查看资料
CG10167AA	Infineon	CY62147G30-45BVXA		查看资料
CG10167AAT	Infineon	CY62147G30-45BVXA		查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

26 个原型号

原型号

CG8556AA

Infineon Technologies

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命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

CY7C1041G30-10ZSXIInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐

原型号

CY62162G30-45BGXIT

Infineon Technologies

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CY62162G18-55BGXITInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐

原型号

CY7C10612GE30-10ZSXI

Infineon Technologies

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命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

CY7C10612G30-10ZSXIInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐

原型号

CY7S1041G30-10VXI

Infineon Technologies

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AS7C34098A-10JINAlliance Memory, Inc.相似型号

原型号

CY7S1061G30-10ZXIT

Infineon Technologies

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CY7S1061GE30-10ZXITInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐

原型号

DG300BDJ

Vishay Siliconix

查看详情 · 1 条候选

DG300ACJ+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号

原型号

DG302AAK/883

Vishay Siliconix

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DG302AAK/883BAnalog Devices Inc./Maxim Integrated直接替代候选

原型号

DG307AAK/883

Vishay Siliconix

查看详情 · 1 条候选

DG307ACJ+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号

原型号

DG308BDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

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DG408DQ-T1-E3Vishay Siliconix第三方标注：厂商推荐

原型号

DG308BDY

Vishay Siliconix

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DG308BDY-E3Vishay Siliconix参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

765 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

ICE40UP5K-UWG30ITR

Lattice

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括总存储容量 1024 kbit、输入／输出数 21 个输入／输出、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 48 MHz、产品 iCE40 UltraPlus、逻辑单元数 5280，采用 WLCSP-30 封装。

半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate Array

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ICE40UP5K-UWG30ITR1K

Lattice

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括总存储容量 1024 kbit、输入／输出数 21 个输入／输出、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 48 MHz、产品 iCE40 UltraPlus、逻辑单元数 5280，采用 WLCSP-30 封装。

半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate Array

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IRFBG30PBF

Vishay / Siliconix

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1 kV、连续漏极电流（Id） 3.1 A，采用 TO-220AB-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

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IRFBG30PBF

Vishay Semiconductors

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1 kV、连续漏极电流（Id） 3.1 A，采用 TO-220-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs

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IRFBG30PBF-BE3

Vishay / Siliconix

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1 kV、连续漏极电流（Id） 3.1 A，采用 TO-220-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs

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IRFPG30PBF

Vishay / Siliconix

主要参数包括技术 Si、高度 20.82 mm、长度 15.87 mm、宽度 5.31 mm、单件重量 1.340411 oz，采用 TO-247-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

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IRFPG30PBF

Vishay Semiconductors

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1 kV、连续漏极电流（Id） 3.1 A、漏源导通电阻（Rds On） 5 Ω，采用 TO-247-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs

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LAV-AT-G30-1ASG410C

Lattice

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 14.4 Mbit、总存储容量 16.5 Mbit、输入／输出数 196 个输入／输出、工作电源电压 820 mV、最大工作频率 2.4 GHz、逻辑单元数 262000 LE，采用 FOWLP-410 封装。

半导体 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate Array

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LAV-AT-G30-1ASG410I

Lattice

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 14.4 Mbit、总存储容量 16.5 Mbit、输入／输出数 196 个输入／输出、工作电源电压 820 mV、最大工作频率 2.4 GHz、逻辑单元数 262000 LE，采用 FOWLP-410 封装。

半导体 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate Array

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LAV-AT-G30-1LBG484C

Lattice

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 14.4 Mbit、总存储容量 16.5 Mbit、输入／输出数 218 个输入／输出、工作电源电压 820 mV、最大工作频率 2.4 GHz、逻辑单元数 262000 LE，采用 FCBGA-484 封装。

半导体 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate Array

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