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原厂资料

28 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
FJ2500049QDiodes Incorporated
  • HX2A25015Q
2025-08-22查看资料
HX31250035Diodes Incorporated
  • HX3A25013J
2025-06-16查看资料
HX2125004QDiodes Incorporated
  • HX2A25004Q
2024-11-14查看资料
FJ2500011Diodes Incorporated
  • HX2A250003
2024-06-25查看资料
FK2500042Diodes Incorporated
  • HX3A250004
2024-06-25查看资料
FK2500054Diodes Incorporated
  • HX3A250002
2024-06-25查看资料
HX21250020Diodes Incorporated
  • HX2A250006
2024-06-25查看资料
HX3125021QDiodes Incorporated
  • HX3A25006Q
2024-06-25查看资料
HX3125025ZDiodes Incorporated
  • HX3A25005Z
2024-06-25查看资料
7130SA55CMRenesas
  • 7130LA25PFGI
2023-12-05查看资料
NLAS3899BMNTBGonsemi
  • FSA2567UMX
2023-10-02查看资料
NLAS3899BMNTWGonsemi
  • FSA2567MPX
2023-10-02查看资料
NLAS3899BMNTXGonsemi
  • FSA2567MPX
2023-10-02查看资料
71256SA25PZGRenesas
  • 71256SA20TPG
2023-05-18查看资料
71256SA25PZG8Renesas
  • 71256SA20TPG
2023-05-18查看资料
71256SA25PZGIRenesas
  • 71256SA20TPG
2023-05-18查看资料
71256SA25PZGI8Renesas
  • 71256SA20TPG
2023-05-18查看资料
71256SA25YGRenesas
  • 71256SA25PZGI
2022-02-28查看资料
71256SA25YG8Renesas
  • 71256SA25PZGI8
2022-02-28查看资料
KA258ADTFonsemi
  • LM258DR2G
2019-11-04查看资料
VS-HFA25PB60PBFVishay
  • VS-HFA25PB60-N3
2019-09-14查看资料
0W463-002-XDIonsemi
  • CAT25A256DTR
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CG9059AMInfineon
  • CY14B101LA-BA25XI
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CG9059AMTInfineon
  • CY14B101LA-BA25XIT
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CY14B101LA-SZ25XIInfineon
  • CY14B101LA-BA25XI
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CY14B101LA-SZ25XITInfineon
  • CY14B101LA-BA25XIT
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ESDA25B1STMicroelectronics
  • ESDA25SC6Y
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OPA241PATexas Instruments
  • OPA241UA/2K5
  • OPA251UA/2K5
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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

128 个原型号
原型号

24AA256T/SM

Microchip Technology

查看详情 · 10 条候选
  • 24AA256/SMMicrochip Technology直接替代候选
原型号

24FC256-I/ST

Microchip Technology

查看详情 · 6 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 24AA256UID-I/STMicrochip Technology相似型号
原型号

6116LA20SOGI8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 6116LA25SOGI8Renesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71256SA25YG

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 10 条候选
  • AS7C256A-10JCNAlliance Memory, Inc.相似型号
原型号

7130LA25JGI8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • 71342LA25PFGIRenesas Electronics Corporation第三方标注：厂商推荐
原型号

7130LA25TFI

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • 7130LA25TFGIRenesas Electronics Corporation直接替代候选
原型号

7130SA35JI

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 7130LA25JGIRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号

7130SA55JI

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

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  • 7130LA25JGIRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号

7130SA55PFI8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 7130LA25PFGI8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号

71321LA25PFI8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • 71321LA25PFGI8Renesas Electronics Corporation直接替代候选

技术资料参考

芯片技术资料

960 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

FGA25N120ANTDTU

ON Semiconductor / Fairchild

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1200 V、集电极－发射极饱和电压 2 V、最大栅射电压 20 V、25°C 时连续集电极电流 50 A，采用 TO-3P-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT Transistors
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FGA25N120ANTDTU-F109

ON Semiconductor / Fairchild

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1200 V、最大栅射电压 20 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 TO-3PN-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT Transistors
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FGA25S125P-SN00337

ON Semiconductor / Fairchild

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1250 V、集电极－发射极饱和电压 1.8 V、最大栅射电压 6 V、25°C 时连续集电极电流 50 A，采用 TO-3PN 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT Transistors
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FNA25012A

ON Semiconductor

主要参数包括工作电源电压 15 V、输出电流 2 mA、类型 Motion SPM 2 Series、产品 Brushless DC Motor Controllers、工作电源电流 15.5 mA、最小工作温度 - 40 C，采用 SPMCA-A34-34 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
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FNA25012A

onsemi

主要参数包括技术 Si、类型 3-Phase、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1.2 kV、原产国家或地区 中国、最大工作温度 + 150 C、最小工作温度 - 40 C，采用 SPMCA-A34 封装。

半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Intelligent Power Modules - IPMs
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FNA25060

ON Semiconductor / Fairchild

主要参数包括工作电源电压 14.5～16.5 V、输出电压 600 V、输出电流 50 A、工作温度范围 - 40 C to + 150 C、类型 3 Phase、产品 Brushless DC Motor Controllers，采用 SPMAA-34 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
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FNA25060

onsemi

主要参数包括技术 Si、类型 3-Phase、最大集电极－发射极电压（VCEO） 600 V、原产国家或地区 中国、最大工作温度 + 150 C、最小工作温度 - 40 C，采用 SPMAA-34 封装。

半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Intelligent Power Modules - IPMs
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FSA2567MPX

ON Semiconductor / Fairchild

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.65～4.3 V、电源电压（最大值） 4.3 V、电源电压（最小值） 1.65 V、供电类型 Single Supply、开关数 1 Switch、配置 1 x 4PDT，采用 MLP-16 封装。

半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Analog Switch ICs
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FSA2567MPX

onsemi

该型号为集成电路，主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 4.3 V、供电类型 Single Supply、配置 1 x 4PDT、导通电阻（最大值） 10 Ω，采用 WQFN-16 封装。

半导体 > Switch ICs > Analog Switch ICs
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FSA2567UMX

ON Semiconductor / Fairchild

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.65～4.3 V、电源电压（最大值） 4.3 V、电源电压（最小值） 1.65 V、供电类型 Single Supply、开关数 1 Switch、配置 1 x 4PDT，采用 UMLP-16 封装。

半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Analog Switch ICs
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