SI86SS41EE-IS2
Skyworks Solutions, Inc.
主要参数包括通道数 4 个通道、隔离类型 Capacitive Coupling、类型 General Purpose、极性 Unidirectional、隔离电压 6000 Vrms、原产国家或地区 中国台湾，采用 SOIC-WB-16 封装。
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SI86SS41EE-IS2R
Skyworks Solutions, Inc.
主要参数包括通道数 4 个通道、隔离类型 Capacitive Coupling、类型 General Purpose、极性 Unidirectional、隔离电压 6000 Vrms、原产国家或地区 中国台湾，采用 SOIC-WB-16 封装。
半导体 > Interface ICs > Digital IsolatorsSISS40DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括技术 Si、商品名称 TrenchFET, PowerPAK。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSISS40DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 36.5 A、漏源导通电阻（Rds On） 21 mOhms，采用 PowerPAK-1212-8S-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsSiSS42DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 40.5 A，采用 PowerPAK-1212-8S-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSISS42DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 40.5 A，采用 PowerPAK-1212-8S-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsSISS42LDN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 39 A，采用 PowerPAK1212-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSISS42LDN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 39 A，采用 PowerPAK-1212-8S 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsSISS4304DN-T1-UE3
Vishay Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 TH。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsSiSS4402DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 128 A，采用 PowerPAK 1212-8S 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs