原型号
查看详情 · 1 条候选CG8556AA
Infineon Technologies
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- CY7C1041G30-10ZSXIInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐
搜索结果
原厂资料
7 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| PI7C9X20303ULAZPEX | Diodes Incorporated |
| 2026-01-22 | 查看资料 |
| IHCM2321AAEG301N10 | Vishay |
| 2025-09-11 | 查看资料 |
| G30H150CTFW | Diodes Incorporated |
| 2022-08-29 | 查看资料 |
| G30H150CTW | Diodes Incorporated |
| 2022-08-29 | 查看资料 |
| RHRG1560CC-F085 | onsemi |
| 2021-04-08 | 查看资料 |
| CG10167AA | Infineon |
| 查看资料 | |
| CG10167AAT | Infineon |
| 查看资料 |
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 1 条候选CY62162G30-45BGXIT
Infineon Technologies
- CY62162G18-55BGXITInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐
原型号
查看详情 · 1 条候选CY7C10612GE30-10ZSXI
Infineon Technologies
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- CY7C10612G30-10ZSXIInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐
原型号
查看详情 · 1 条候选CY7S1041G30-10VXI
Infineon Technologies
- AS7C34098A-10JINAlliance Memory, Inc.相似型号
原型号
查看详情 · 1 条候选CY7S1061G30-10ZXIT
Infineon Technologies
- CY7S1061GE30-10ZXITInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐
原型号
查看详情 · 1 条候选DG300BDJ
Vishay Siliconix
- DG300ACJ+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号
原型号
查看详情 · 2 条候选DG302AAK/883
Vishay Siliconix
- DG302AAK/883BAnalog Devices Inc./Maxim Integrated直接替代候选
原型号
查看详情 · 1 条候选DG307AAK/883
Vishay Siliconix
- DG307ACJ+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号
原型号
查看详情 · 11 条候选DG308BDQ-T1-E3
Vishay Siliconix
- DG408DQ-T1-E3Vishay Siliconix第三方标注：厂商推荐
原型号
查看详情 · 8 条候选DG308BDY
Vishay Siliconix
- DG308BDY-E3Vishay Siliconix参数相近
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
EFM32HG309F64N-C-QFN24R
Silicon Labs
该型号为微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 25 MHz、程序存储容量 64 kB、数据 RAM 容量 8 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 17 个输入／输出、定时器／计数器数 3 个定时器，采用 QFN-24 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > ARM Microcontrollers - MCUHG302C
Asahi Kasei Microdevices
该型号为传感器，主要参数包括工作电源电压 10 V、类型 Hall Element、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、原产国家或地区 日本、单件重量 0.001698 oz。
半导体 > Sensor ICs > Board Mount Hall Effect / Magnetic SensorsHGTG30N60A4
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 600 V、集电极－发射极饱和电压 1.8 V、最大栅射电压 20 V、25°C 时连续集电极电流 75 A，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT TransistorsHGTG30N60A4D
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 600 V、集电极－发射极饱和电压 1.8 V、最大栅射电压 20 V、25°C 时连续集电极电流 75 A，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT TransistorsHGTG30N60B3
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 600 V、集电极－发射极饱和电压 1.45 V、最大栅射电压 20 V、25°C 时连续集电极电流 60 A，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT TransistorsHGTG30N60B3D
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 600 V、集电极－发射极饱和电压 1.45 V、最大栅射电压 20 V、25°C 时连续集电极电流 60 A，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT TransistorsHGTG30N60C3D
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 600 V、集电极－发射极饱和电压 1.5 V、最大栅射电压 20 V、25°C 时连续集电极电流 63 A，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT TransistorsICE40UP3K-UWG30ITR
Lattice
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括总存储容量 1024 kbit、输入／输出数 21 个输入／输出、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 48 MHz、产品 iCE40 UltraPlus、逻辑单元数 2800，采用 WLCSP-30 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括总存储容量 1024 kbit、输入／输出数 21 个输入／输出、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 48 MHz、产品 iCE40 UltraPlus、逻辑单元数 2800，采用 WLCSP-30 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayICE40UP3K-UWG30ITR50
Lattice
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括总存储容量 1024 kbit、输入／输出数 21 个输入／输出、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 48 MHz、产品 iCE40 UltraPlus、逻辑单元数 2800，采用 WLCSP-30 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate Array