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原厂资料

26 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
SBR30A45CTB-GDiodes Incorporated
  • SBR30A45CTB-13
2025-07-23查看资料
UX31451001Diodes Incorporated
  • UX3A45101J
2025-06-16查看资料
SBR12A45SD1-T-01Diodes Incorporated
  • SBR12A45SD1-T
2023-05-15查看资料
SBR30E45CTDiodes Incorporated
  • SBR30A45CT
2023-05-15查看资料
SBR30E45CTBDiodes Incorporated
  • SBR30A45CTB-13
2023-05-15查看资料
SBR30E45CTB-13Diodes Incorporated
  • SBR30A45CTB-13
2023-05-15查看资料
SBR8A45SP5-13-2169Diodes Incorporated
  • SBR8A45SP5-13
2023-05-15查看资料
7142LA45CMRenesas
  • 7142LA35L48B
2022-02-28查看资料
SBR20A45CTB-13Diodes Incorporated
  • SBR20A45CTB-13-G
2021-05-24查看资料
SBR30A45CTBDiodes Incorporated
  • SBR30A45CTB-13
2021-05-24查看资料
SBR30A45CTFPDiodes Incorporated
  • SBR30A45CTFP-G
2021-05-24查看资料
SBR30A45CTFP-JTDiodes Incorporated
  • SBR30A45CTFP
2021-05-24查看资料
KA4558onsemi
  • RC4558P
2019-11-04查看资料
KA4558DTFonsemi
  • RC4558DR
2019-11-04查看资料
ADA4505-1ACBZ-RLAnalog Devices
  • ADA4505-1ACBZ-R7
2018-02-23查看资料
ADA4505-1ARJZ-RLAnalog Devices
  • ADA4505-1ARJZ-R7
2018-02-23查看资料
ADA4505-2ACBZ-RLAnalog Devices
  • ADA4505-2ACBZ-R7
2018-02-23查看资料
ADA4505-4ACBZ-RLAnalog Devices
  • ADA4505-4ACBZ-R7
2018-02-23查看资料
CG7956AAInfineon
  • CY14B101LA-BA45XI
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CG7956AATInfineon
  • CY14B101LA-BA45XI
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CG8084AAInfineon
  • CY14V104LA-BA45XI
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CG9060AMInfineon
  • CY14B101LA-BA45XI
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CG9060AMTInfineon
  • CY14B101LA-BA45XI
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CY14B101LA-SZ45XIInfineon
  • CY14B101LA-BA45XI
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CY14B101LA-SZ45XITInfineon
  • CY14B101LA-BA45XI
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STPS1045HRSTMicroelectronics
  • STPS80A45CHR
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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

73 个原型号
原型号

7133LA45J

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • 7133LA20JGRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号

7133SA45J8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • 7133LA20JG8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号

AD8552ARU-REEL

Analog Devices Inc.

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  • ADA4528-2ARMZ-R7Analog Devices Inc.相似型号
原型号

AD8554ARZ-REEL

Analog Devices Inc.

查看详情 · 22 条候选

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  • ADA4522-4ARUZAnalog Devices Inc.相似型号
原型号

AD8572ARUZ-REEL

Analog Devices Inc.

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  • ADA4528-2ARMZAnalog Devices Inc.相似型号
原型号

AD8574AR

Analog Devices Inc.

查看详情 · 2 条候选

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  • ADA4522-4ARZAnalog Devices Inc.相似型号
原型号

AD8602DR-REEL7

Analog Devices Inc.

查看详情 · 71 条候选

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  • ADA4500-2ARMZ-R7Analog Devices Inc.相似型号
原型号

AD8628AUJ-REEL

Analog Devices Inc.

查看详情 · 5 条候选

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  • ADA4528-1ARMZ-RLAnalog Devices Inc.相似型号
原型号

AD8628WARTZ-RL

Analog Devices Inc.

查看详情 · 5 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • ADA4528-1ARMZ-R7Analog Devices Inc.相似型号
原型号

ADA4500-2ARMZ-RL

Analog Devices Inc.

查看详情 · 20 条候选
  • LTC6078ACMS8#PBFAnalog Devices Inc.相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

449 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

TK14A45D(STA4,Q,M)

Toshiba

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 450 V、连续漏极电流（Id） 14 A，采用 TO-220-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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TK14A45DA(STA4,QM)

Toshiba

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 450 V、连续漏极电流（Id） 13.5 A，采用 TO-220-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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TK16A45D(STA4,Q,M)

Toshiba

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 450 V、连续漏极电流（Id） 16 A，采用 TO-220-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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TK19A45D(STA4,Q,M)

Toshiba

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 450 V、连续漏极电流（Id） 19 A，采用 TO-220FP-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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TK5A45DA(STA4,Q,M)

Toshiba

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 450 V、连续漏极电流（Id） 4.5 A，采用 TO-220FP-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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TK6A45DA(STA4,Q,M)

Toshiba

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 450 V、连续漏极电流（Id） 5.5 A，采用 TO-220FP-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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TK7A45DA(STA4,Q,M)

Toshiba

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 450 V、连续漏极电流（Id） 6.5 A，采用 TO-220FP-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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TK8A45D(STA4,Q,M)

Toshiba

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 450 V、连续漏极电流（Id） 8 A，采用 TO-220FP-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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TK8A45DA(STA4,Q,M)

Toshiba

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 450 V、连续漏极电流（Id） 7.5 A，采用 TO-220FP-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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TK9A45D(STA4,Q,M)

Toshiba

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 450 V、连续漏极电流（Id） 9 A，采用 TO-220FP-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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