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原厂资料

13 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
71V67903S80PFGRenesas
  • 71V67903S80BG
2022-02-28查看资料
71V67903S80PFG8Renesas
  • 71V67903S80BG8
2022-02-28查看资料
71V67903S80PFGIRenesas
  • 71V67903S80BQI
2022-02-28查看资料
71V67903S80PFGI8Renesas
  • 71V67903S80BQI8
2022-02-28查看资料
ADXRS300WABGZA-RLAnalog Devices
  • ADXRS800WBRGZ-RL
2018-02-23查看资料
42019293Infineon
  • S29GL064S80DHB020
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7GA6Y0020Infineon
  • S29GL064S80TFB040
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A2C00045435AInfineon
  • S29GL064S80BHB043
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A2C00045440AInfineon
  • S29GL064S80BHB043
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FSS804-TL-Eonsemi
  • NTMS4802N
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MPS8098Gonsemi
  • MPS8099G
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MPS8099RLRMGonsemi
  • MPS8099RLRAG
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STPS1045HRSTMicroelectronics
  • STPS80A45CHR
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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

49 个原型号
原型号

71V2546S100PFG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V2546S133PFG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V2556S100PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V2556S166PFG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V25761S183PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V3557S80PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V2556S150PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V35761S166BG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80BGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V35761S166PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V35761S183BGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80BGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V3577S75BGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80BGIRenesas Electronics Corporation相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

649 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

FDMS8025S

onsemi

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 49 A，采用 Power-56-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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FDMS8026S

ON Semiconductor / Fairchild

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 22 A，采用 Power-56-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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FDMS8027S

ON Semiconductor / Fairchild

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 22 A，采用 Power-56-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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FDMS8027S

onsemi

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 22 A，采用 Power-56-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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FDMS8027S-NC

onsemi

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 70 A，采用 PQFN-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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FDMS8050

ON Semiconductor / Fairchild

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、配置 Single、通道模式 Enhancement、商品名称 PowerTrench Power Clip、高度 0.8 mm，采用 Power-56-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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FDMS8050

onsemi

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 200 A、漏源导通电阻（Rds On） 650 uOhms，采用 Power-56-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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FDMS8050ET30

ON Semiconductor / Fairchild

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 423 A、漏源导通电阻（Rds On） 650 uOhms，采用 Power-56-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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FDMS8050ET30

onsemi

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 423 A、漏源导通电阻（Rds On） 650 uOhms，采用 Power-56-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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FDMS8090

ON Semiconductor / Fairchild

主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 2 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 10 A, 8 A，采用 Power-56-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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