S29GL512S10DHSS43
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。
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S29GL512S10DHSS43
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 32 M x 16。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashS29GL512S10FHSS40
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 FBGA-64 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashS29GL512S10FHSS40
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA，采用 FBGA-64 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashS29GL512S10FHSS43
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashS29GL512S10FHSS43
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 32 M x 16。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashSI86SS41BC-AS1
Skyworks Solutions, Inc.
主要参数包括隔离类型 Capacitive Coupling、原产国家或地区 中国台湾，采用 SOIC-NB-16 封装。
半导体 > Interface ICs > Digital IsolatorsSI86SS41BC-AS1R
Skyworks Solutions, Inc.
主要参数包括隔离类型 Capacitive Coupling、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 SOIC-NB-16 封装。
半导体 > Interface ICs > Digital IsolatorsSI86SS41BC-IS1
Skyworks Solutions, Inc.
主要参数包括通道数 4 个通道、隔离类型 Capacitive Coupling、类型 General Purpose、极性 Unidirectional、隔离电压 3750 Vrms、原产国家或地区 中国台湾，采用 SOIC-NB-16 封装。
半导体 > Interface ICs > Digital IsolatorsSI86SS41BC-IS1R
Skyworks Solutions, Inc.
主要参数包括通道数 4 个通道、隔离类型 Capacitive Coupling、类型 General Purpose、极性 Unidirectional、隔离电压 3750 Vrms、原产国家或地区 中国台湾，采用 SOIC-NB-16 封装。
半导体 > Interface ICs > Digital Isolators