原型号
查看详情 · 2 条候选NX3P2902BUKZ
NXP USA Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- BUS1DJC0GWZ-E2Rohm Semiconductor相似型号
搜索结果
原厂资料
13 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| FUS1DD_HF | Diodes Incorporated |
| 2025-07-23 | 查看资料 |
| U1D-E3/5AT | Vishay |
| 2024-04-08 | 查看资料 |
| U1D-E3/61T | Vishay |
| 2024-04-08 | 查看资料 |
| U1D-M3/5AT | Vishay |
| 2024-04-08 | 查看资料 |
| U1D-M3/61T | Vishay |
| 2024-04-08 | 查看资料 |
| NTBGS001N06C | onsemi |
| 2023-12-22 | 查看资料 |
| NTBGS1D5N06C | onsemi |
| 2023-12-22 | 查看资料 |
| FDB024N06 | onsemi |
| 2023-10-06 | 查看资料 |
| NVMFS5H600NLWFT1G | onsemi |
| 2023-06-30 | 查看资料 |
| AS1D | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| FDB9406-F085 | onsemi |
| 2023-03-30 | 查看资料 |
| NVBGS1D2N08H | onsemi |
| 2023-03-30 | 查看资料 |
| FDMS1D4N03S | onsemi |
| 2021-04-08 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
NVMFWS1D5N08XT1G
onsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 80 V、连续漏极电流（Id） 253 A，采用 DFNW-5 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsNVMJS1D0N04CTWG
ON Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETNVMJS1D2N04CLTWG
ON Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETNVMJS1D3N04CTWG
ON Semiconductor
主要参数包括晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、认证等级 AEC-Q101，采用 LFPAK-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETNVMJS1D5N04CLTWG
ON Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 200 A，采用 LFPAK-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETNVMJS1D6N06CLTWG
ON Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETNVMJS1D7N04CTWG
ON Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETNVMTS1D2N08H
ON Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 80 V、连续漏极电流（Id） 337 A，采用 DFNW-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETNVMTS1D5N08H
onsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 80 V、连续漏极电流（Id） 273 A，采用 DFNW-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsNVMYS1D2N04CLTWG
ON Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET