DSSK28-01AS-TUB
IXYS
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 15 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 0.95 V、正向浪涌电流（Ifsm） 230 A，采用 TO-263-3 封装。
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芯片技术资料
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FS32R274KSK2MMM
NXP Semiconductors
该型号为32 位微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 180 MHz, 240 MHz、程序存储容量 2 MB、数据 RAM 容量 1.5 MB、ADC 分辨率 12 位、DAC 分辨率 12 位、ADC 通道数 4 个通道，采用 MAPBGA-257 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUFS32R274KSK2MMMR
NXP Semiconductors
该型号为32 位微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 180 MHz, 240 MHz、程序存储容量 2 MB、数据 RAM 容量 1.5 MB、ADC 分辨率 12 位、DAC 分辨率 12 位、ADC 通道数 4 个通道，采用 MAPBGA-257 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUFS32R274KSK2VMM
NXP Semiconductors
该型号为32 位微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 180 MHz, 240 MHz、程序存储容量 2 MB、数据 RAM 容量 1.5 MB、ADC 分辨率 12 位、DAC 分辨率 12 位、ADC 通道数 4 个通道，采用 MAPBGA-257 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUJANSK2N2222AUB
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SMD-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTR7F100GSK2DFB#UA0
Renesas Electronics
该型号为16 位微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 32 MHz、程序存储容量 384 kB、数据 RAM 容量 32 kB、ADC 分辨率 8 bit/10 bit/12 bit、DAC 分辨率 8 位、输入／输出数 120 个输入／输出，采用 LFQFP-128 封装。
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