搜索结果

原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
PI7C9X20303ULAZPEX	Diodes Incorporated	PI7C9X2G304EVAZXAEX	2026-01-22	查看资料
IHCM2321AAEG301N10	Vishay	ICMS2321AGEG281N10	2025-09-11	查看资料
G30H150CTFW	Diodes Incorporated	SDT30150GCTSP	2022-08-29	查看资料
G30H150CTW	Diodes Incorporated	SDT30150GCT	2022-08-29	查看资料
RHRG1560CC-F085	onsemi	RURG3060CC-F085	2021-04-08	查看资料
CG10167AA	Infineon	CY62147G30-45BVXA		查看资料
CG10167AAT	Infineon	CY62147G30-45BVXA		查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

26 个原型号

原型号

CG8556AA

Infineon Technologies

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命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

CY7C1041G30-10ZSXIInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐

原型号

CY62162G30-45BGXIT

Infineon Technologies

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CY62162G18-55BGXITInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐

原型号

CY7C10612GE30-10ZSXI

Infineon Technologies

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命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

CY7C10612G30-10ZSXIInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐

原型号

CY7S1041G30-10VXI

Infineon Technologies

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AS7C34098A-10JINAlliance Memory, Inc.相似型号

原型号

CY7S1061G30-10ZXIT

Infineon Technologies

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CY7S1061GE30-10ZXITInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐

原型号

DG300BDJ

Vishay Siliconix

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DG300ACJ+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号

原型号

DG302AAK/883

Vishay Siliconix

查看详情 · 2 条候选

DG302AAK/883BAnalog Devices Inc./Maxim Integrated直接替代候选

原型号

DG307AAK/883

Vishay Siliconix

查看详情 · 1 条候选

DG307ACJ+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号

原型号

DG308BDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

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DG408DQ-T1-E3Vishay Siliconix第三方标注：厂商推荐

原型号

DG308BDY

Vishay Siliconix

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DG308BDY-E3Vishay Siliconix参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

765 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

DPG30I600PM

IXYS

该型号为二极管，主要参数包括产品 Power Diodes、峰值反向电压 600 V、最大浪涌电流 250 A、正向电流（If） 15 A、配置 Single、恢复时间 25 ns，采用 TO-220FP 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching

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DPG30IM300PC

IXYS

该型号为二极管，主要参数包括商品名称 HiPerFRED2、型号别名 DPG30IM300PC-TRL，采用 TO-263-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching

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DPG30IM300PC-TRL

IXYS

主要参数包括原产国家或地区菲律宾、产品 Rectifiers。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers

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DPG30IM300PC-TUB

IXYS

该型号为半导体器件，主要参数包括类型 Fast Recovery、产品 Diode Power Modules、正向电压（Vf） 1.66 V、反向电压（Vr） 300 V、栅源电压（Vgs） 0.7 V、最小工作温度 - 55 C，采用 TO-263-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Discrete Semiconductor Modules

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DPG30IM400PC

IXYS

该型号为二极管，主要参数包括产品 General Purpose Diodes、峰值反向电压 400 V、最大浪涌电流 300 A、正向电流（If） 60 A (2 x 30 A)、配置 Single、恢复时间 45 ns，采用 TO-263-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching

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DPG30IM400PC-TRL

IXYS

主要参数包括原产国家或地区菲律宾、产品 Rectifiers。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers

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DPG30IM400PC-TUB

IXYS

该型号为半导体器件，主要参数包括类型 Fast Recovery、产品 Diode Power Modules、正向电压（Vf） 1.71 V、反向电压（Vr） 400 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 TO-263-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Discrete Semiconductor Modules

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DPG30P300PJ

IXYS

该型号为二极管，主要参数包括峰值反向电压 300 V、最大浪涌电流 450 A、正向电流（If） 60 A、恢复时间 65 ns、正向电压（Vf） 1.57 V、反向电流（Ir） 0.2 mA，采用 ISOPLUS-220-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching

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DPG30P400PJ

IXYS

该型号为二极管，主要参数包括产品 General Purpose Diodes、峰值反向电压 400 V、最大浪涌电流 400 A、正向电流（If） 60 A (2 x 30 A)、配置 Dual、恢复时间 45 ns，采用 ISOPLUS-220-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching

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EFM32HG308F32G-B-QFN24

Silicon Labs

该型号为微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 25 MHz、程序存储容量 32 kB、数据 RAM 容量 8 kB、输入／输出数 15 个输入／输出、定时器／计数器数 3 x 16 bit、工作电源电压 1.98～3.8 V，采用 QFN-24 封装。

半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > ARM Microcontrollers - MCU

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