7130LA55C
Renesas Electronics Corporation
- 7130LA20JGRenesas Electronics Corporation第三方标注:厂商推荐
15 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| 7130SA55CM | Renesas |
| 2023-12-05 | 查看资料 |
| 7132SA35C | Renesas |
| 2023-12-05 | 查看资料 |
| 7140LA55CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7140SA100CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7140SA55CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7140SA70CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142LA55C | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142LA55CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142SA55C | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142SA55CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| ATA5577M133SC-DDB | Microchip |
| 2021-10-07 | 查看资料 |
| FSA551UCX | onsemi |
| 2021-10-01 | 查看资料 |
| NE5534ADR2G | onsemi |
| 2021-07-07 | 查看资料 |
| NE5534DR2G | onsemi |
| 2021-07-07 | 查看资料 |
| BCW89 | onsemi |
| 2019-07-16 | 查看资料 |
来源:第三方数据源非原厂公告
Renesas Electronics Corporation
Renesas Electronics Corporation
Renesas Electronics Corporation
Renesas Electronics Corporation
Renesas Electronics Corporation
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Renesas Electronics Corporation
Renesas Electronics Corporation
Renesas Electronics Corporation
Renesas Electronics Corporation
Renesas Electronics Corporation
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 550 V、连续漏极电流(Id) 4 A,采用 TO-220FP-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETToshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 550 V、连续漏极电流(Id) 5 A,采用 TO-220FP-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETToshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 550 V、连续漏极电流(Id) 5.5 A,采用 TO-220FP-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETToshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 550 V、连续漏极电流(Id) 7 A,采用 TO-220FP-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETToshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 550 V、连续漏极电流(Id) 7.5 A,采用 TO-220FP-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETToshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 550 V、连续漏极电流(Id) 8.5 A,采用 TO-220FP-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETTexas Instruments
主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.7 V、类型 Voltage Supervisory、输出类型 Active Low, Open Drain、阈值电压 5 V、监控输入数 1 Input,采用 WSON-6 封装。
半导体 > Power Management ICs > Supervisory CircuitsTorex Semiconductor
该型号为开关稳压器,主要参数包括电源电压(最小值) 900 mV、输出电压 5.5 V、输出电流 100 mA、工作温度范围 - 30 C to + 80 C、开关频率 100 kHz、类型 PWM Controlled Step Up DC/DC Converter,采用 SOT-89-3 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching Voltage RegulatorsTorex Semiconductor
该型号为开关稳压器,主要参数包括电源电压(最小值) 900 mV、输出电压 5.5 V、输出电流 100 mA、工作温度范围 - 30 C to + 80 C、开关频率 100 kHz、类型 PWM, PWM/PFM Controlled Step Up DC/DC Converter,采用 SOT-89-3 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching Voltage RegulatorsTorex Semiconductor
该型号为开关稳压器,主要参数包括电源电压(最小值) 900 mV、输出电压 5.5 V、输出电流 100 mA、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、开关频率 180 kHz、类型 Step Up Converter/Controller,采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching Voltage Regulators