TK4A55DA(STA4,Q,M)
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 550 V、连续漏极电流（Id） 4 A，采用 TO-220FP-3 封装。
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TK5A55D(STA4,Q,M)
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 550 V、连续漏极电流（Id） 5 A，采用 TO-220FP-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETTK6A55DA(STA4,Q,M)
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 550 V、连续漏极电流（Id） 5.5 A，采用 TO-220FP-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETTK7A55D(STA4,Q,M)
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 550 V、连续漏极电流（Id） 7 A，采用 TO-220FP-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETTK8A55DA(STA4,Q,M)
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 550 V、连续漏极电流（Id） 7.5 A，采用 TO-220FP-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETTK9A55DA(STA4,Q,M)
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 550 V、连续漏极电流（Id） 8.5 A，采用 TO-220FP-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETTPS3703A5500DSER
Texas Instruments
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 Voltage Supervisory、输出类型 Active Low, Open Drain、阈值电压 5 V、监控输入数 1 Input，采用 WSON-6 封装。
半导体 > Power Management ICs > Supervisory CircuitsXC6371A551PR-G
Torex Semiconductor
该型号为开关稳压器，主要参数包括电源电压（最小值） 900 mV、输出电压 5.5 V、输出电流 100 mA、工作温度范围 - 30 C to + 80 C、开关频率 100 kHz、类型 PWM Controlled Step Up DC/DC Converter，采用 SOT-89-3 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching Voltage RegulatorsXC6372A551PR-G
Torex Semiconductor
该型号为开关稳压器，主要参数包括电源电压（最小值） 900 mV、输出电压 5.5 V、输出电流 100 mA、工作温度范围 - 30 C to + 80 C、开关频率 100 kHz、类型 PWM, PWM/PFM Controlled Step Up DC/DC Converter，采用 SOT-89-3 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching Voltage RegulatorsXC9111A551MR-G
Torex Semiconductor
该型号为开关稳压器，主要参数包括电源电压（最小值） 900 mV、输出电压 5.5 V、输出电流 100 mA、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、开关频率 180 kHz、类型 Step Up Converter/Controller，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching Voltage Regulators