7133LA45J
Renesas Electronics Corporation
- 7133LA20JGRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
26 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| SBR30A45CTB-G | Diodes Incorporated |
| 2025-07-23 | 查看资料 |
| UX31451001 | Diodes Incorporated |
| 2025-06-16 | 查看资料 |
| SBR12A45SD1-T-01 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR30E45CT | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR30E45CTB | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR30E45CTB-13 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR8A45SP5-13-2169 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| 7142LA45CM | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| SBR20A45CTB-13 | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR30A45CTB | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR30A45CTFP | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR30A45CTFP-JT | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| KA4558 | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
| KA4558DTF | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
| ADA4505-1ACBZ-RL | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| ADA4505-1ARJZ-RL | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| ADA4505-2ACBZ-RL | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| ADA4505-4ACBZ-RL | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| CG7956AA | Infineon |
| 查看资料 | |
| CG7956AAT | Infineon |
| 查看资料 | |
| CG8084AA | Infineon |
| 查看资料 | |
| CG9060AM | Infineon |
| 查看资料 | |
| CG9060AMT | Infineon |
| 查看资料 | |
| CY14B101LA-SZ45XI | Infineon |
| 查看资料 | |
| CY14B101LA-SZ45XIT | Infineon |
| 查看资料 | |
| STPS1045HR | STMicroelectronics |
| 查看资料 |
来源:第三方数据源非原厂公告
Renesas Electronics Corporation
Renesas Electronics Corporation
Analog Devices Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Analog Devices Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Analog Devices Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Analog Devices Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Analog Devices Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Analog Devices Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Analog Devices Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Analog Devices Inc.
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Vishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压(Vds) 20 V、连续漏极电流(Id) 9 A,采用 PowerPAK-SC70-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETMACOM
RF Amplifier
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierMACOM
RF Amplifier 1-4GHz NF 4.1dB Gain 17.5dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierVishay
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 40 V、连续漏极电流(Id) 9 A、漏源导通电阻(Rds On) 19 mOhms,采用 PowerPAK SC-70W-6L 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsSTMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsSTMicroelectronics
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 650 V、连续漏极电流(Id) 35 A,采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETQorvo
主要参数包括工作电源电压 3 V、电源电压(最大值) 5 V、工作频率 30~42 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 14 dBm。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierQorvo
主要参数包括工作电源电压 6 V、电源电压(最大值) 6.5 V、工作频率 30~40 GHz、测试频率 30~40 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier,采用 Die 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierQorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 40 GHz、频率范围 30~40 GHz、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 33 dBm。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierQorvo
主要参数包括工作电源电压 6.5 V、工作频率 31~37 GHz、类型 Power Amplifier、工作电源电流 4 A、型号别名 1023533,采用 4.35 mm x 3.9 mm 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier