3SK294(TE85L,F)
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 500 MHz、技术 Si、类型 RF Small Signal MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 30 mA、漏源击穿电压（Vds） 12.5 V，采用 SOT-343-4 封装。
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芯片技术资料
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DSSK20-0045B
IXYS
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Power Schottky Rectifier、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 20 A、重复反向电压（Vrrm） 45 V，采用 TO-220AB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersDSSK20-015A
IXYS
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 175 C、技术 Si、类型 Power Schottky Rectifier、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 150 V，采用 TO-220AB-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersDSSK20-015A
Littelfuse
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、配置 Dual Anode Common Cathode、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 150 V、正向电压（Vf） 610 mV，采用 TO-220AB-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersDSSK28-0045BS
IXYS
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 30 A、重复反向电压（Vrrm） 45 V，采用 TO-263AB (D2 PAK) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersDSSK28-006BS-TRL
IXYS
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 30 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V、正向电压（Vf） 0.56 V、正向浪涌电流（Ifsm） 300 A，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersDSSK28-006BS-TUB
IXYS
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersDSSK28-01AS
IXYS
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 175 C、技术 Si、类型 Power Schottky Rectifier、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 15 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V，采用 TO-263AB-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersDSSK28-01AS
Littelfuse
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、配置 Dual Anode Common Cathode、正向电流（If） 15 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 640 mV，采用 D2PAK-2 (TO-263-2) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersDSSK28-01AS-TRL
Littelfuse
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、原产国家或地区 菲律宾。
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