AD828AR
Analog Devices Inc.
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- THS4022IDTexas Instruments相似型号
51 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| SIHFPS40N50L-GE3 | Vishay |
| 2024-05-02 | 查看资料 |
| SIHFPS40N60K-GE3 | Vishay |
| 2024-05-02 | 查看资料 |
| BAS40-04-7-F-2477 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| BAS40-04T-7-F-2477 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| BAS40-05-13-F-2477 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| BAS40-05-7-F-2477 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| BAS40-06-7-F-2477 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| BAS40-06T-7-F-2477 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| BAS40-7-F-2477 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| BAS40BRW-7-F-2477 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| BAS40DW-04-7-F-2477 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| BAS40DW-05-7-F-2477 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| BAS40DW-06-7-F-2477 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| BAS40LP-7-2477 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| BAS40TW-7-F-2477 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| BAS40W-04-7-F-2477 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| BAS40W-05-7-F-2477 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| BAS40W-7-F-2477 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| ZHCS400TA-2477 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| ZLLS400TA-2477 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| ZLLS400TC-2477 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| BAS40-06-7-F-79 | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| BAS40-7-G | Diodes Incorporated |
| 2020-11-17 | 查看资料 |
| LV5068V-TLM-H | onsemi |
| 2020-09-29 | 查看资料 |
| LV5768V-A-TLM-E | onsemi |
| 2020-09-29 | 查看资料 |
| BAS40SL | onsemi |
| 2020-08-12 | 查看资料 |
| BAS40-04-7-F-79 | Diodes Incorporated |
| 2020-05-28 | 查看资料 |
| BAS40-05-7-F-79 | Diodes Incorporated |
| 2020-05-28 | 查看资料 |
| BAS40-7-F-79 | Diodes Incorporated |
| 2020-05-28 | 查看资料 |
| BAS40LP-7-79 | Diodes Incorporated |
| 2020-05-28 | 查看资料 |
| BAS40LP-7-G | Diodes Incorporated |
| 2020-05-28 | 查看资料 |
| BAS40W-04-7-F-79 | Diodes Incorporated |
| 2020-05-28 | 查看资料 |
| BAS40W-05-7-F-79 | Diodes Incorporated |
| 2020-05-28 | 查看资料 |
| BAS40W-06-7-F-79 | Diodes Incorporated |
| 2020-05-28 | 查看资料 |
| ZHCS400TA-79 | Diodes Incorporated |
| 2020-05-28 | 查看资料 |
| ZLLS400TA-79 | Diodes Incorporated |
| 2020-05-28 | 查看资料 |
| EP4S40G2F40I1 | Altera (Intel FPGA) |
| 2020-03-30 | 查看资料 |
| EP4S40G2F40I2 | Altera (Intel FPGA) |
| 2020-03-30 | 查看资料 |
| EP4S40G2F40I3 | Altera (Intel FPGA) |
| 2020-03-30 | 查看资料 |
| EP4S40G5H40I1 | Altera (Intel FPGA) |
| 2020-03-30 | 查看资料 |
| EP4S40G5H40I2 | Altera (Intel FPGA) |
| 2020-03-30 | 查看资料 |
| EP4S40G5H40I3 | Altera (Intel FPGA) |
| 2020-03-30 | 查看资料 |
| RB751SL | onsemi |
| 2019-07-16 | 查看资料 |
| DS26C32ATMX/S4000162 | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LE25FS406MBS00-TLM-H | onsemi |
| 查看资料 | |
| LE25FS406MBS01-TLM-H | onsemi |
| 查看资料 | |
| LE25FS406MBS04-TLM-H | onsemi |
| 查看资料 | |
| LE25FS406MBS05-TLM-H | onsemi |
| 查看资料 | |
| STPS40100HR | STMicroelectronics |
| 查看资料 | |
| XC3S400AN-4FG400C4100 | Xilinx (AMD) |
| 查看资料 |
来源:第三方数据源非原厂公告
Analog Devices Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Analog Devices Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Microchip Technology
Renesas Electronics Corporation
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Texas Instruments
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Texas Instruments
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Texas Instruments
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Texas Instruments
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Texas Instruments
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技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Infineon / IR
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、型号别名 SP001511412。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT TransistorsInfineon / IR
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 100 V、连续漏极电流(Id) 180 A、漏源导通电阻(Rds On) 4.5 mOhms、栅源电压(Vgs) 16 V,采用 TO-252-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETInfineon Technologies
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 100 V、连续漏极电流(Id) 190 A、漏源导通电阻(Rds On) 3.2 mOhms、栅源电压(Vgs) 16 V,采用 TO-252-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETInfineon / IR
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 100 V、连续漏极电流(Id) 190 A、漏源导通电阻(Rds On) 3.2 mOhms、栅极电荷(Qg) 93 nC,采用 TO-263-7 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETInfineon / IR
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 100 V、连续漏极电流(Id) 190 A、漏源导通电阻(Rds On) 3.2 mOhms、栅极电荷(Qg) 87 nC,采用 TO-263-7 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETDiotec Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、配置 Single、正向电流(If) 200 mA、重复反向电压(Vrrm) 40 V、正向电压(Vf) 1 V,采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersTaiwan Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流(If) 200 mA、重复反向电压(Vrrm) 40 V、正向电压(Vf) 1 V、正向浪涌电流(Ifsm) 0.6 A,采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersTaiwan Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括产品 Schottky Diodes,采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersNexperia
该型号为二极管,主要参数包括工作温度范围 + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流(If) 120 mA、重复反向电压(Vrrm) 40 V、正向电压(Vf) 1 V,采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersNexperia
该型号为二极管,主要参数包括工作温度范围 + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流(If) 120 mA、重复反向电压(Vrrm) 40 V、正向电压(Vf) 1 V,采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers