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芯片技术资料

341 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

STM6600DA55DM6F

STMicroelectronics

该型号为电源管理器件，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、类型 Smart On/Off、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、商品名称 Reset、单件重量 0.001764 oz，采用 TDFN-12 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Power Management Specialized - PMIC

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SY2A55104AHT

Silergy

主要参数包括原产国家或地区中国、商品名称 Silergy Corp.、型号别名 SA59101AHT。

半导体 > Amplifier ICs > Current Sense Amplifiers

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SY2A55105AHA

Silergy

主要参数包括原产国家或地区中国、商品名称 Silergy Corp.、型号别名 SA59102AHA。

半导体 > Amplifier ICs > Current Sense Amplifiers

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TK10A55D(STA4,Q,M)

Toshiba

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 550 V、连续漏极电流（Id） 10 A，采用 TO-220FP-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

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TK11A55D(STA4,Q,M)

Toshiba

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 500 V、连续漏极电流（Id） 11 A，采用 TO-220FP-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

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TK12A55D(STA4,Q,M)

Toshiba

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 550 V、连续漏极电流（Id） 12 A，采用 TO-220FP-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

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TK13A55DA(STA4,QM)

Toshiba

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 550 V、连续漏极电流（Id） 13.5 A，采用 TO-220FP-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

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TK14A55D(STA4,Q,M)

Toshiba

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 550 V、连续漏极电流（Id） 14 A，采用 TO-220FP-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

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TK16A55D(STA4,Q,M)

Toshiba

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 550 V、连续漏极电流（Id） 16 A，采用 TO-220FP-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

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TK4A55D(STA4,Q,M)

Toshiba

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 550 V、连续漏极电流（Id） 4 A，采用 TO-220FP-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

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