PBSS4360ZX
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.003623 oz，采用 SOT-223-3 封装。
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PBSS4360ZX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-223-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4420D,115
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 4 A，采用 TSOP-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4420D-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934664889115。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4440D,115
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 4 A，采用 TSOP-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4440D-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、耗散功率（Pd） 360 mW、增益带宽积（fT） 150 MHz，采用 SOT-457 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4480X,135
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 10 A，采用 TO-243-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4480XZ
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 SOT-89-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4520X,135
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 5 A，采用 UPAK-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4540X,135
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 10 A，采用 TO-243-3 封装。
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