ChipSourceHub 美芯科技
English发起询盘

搜索结果

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

3 个原型号
原型号

IM4G16D3FDBG-107

Intelligent Memory Ltd.

查看详情 · 2 条候选
  • AS4C256M16D3LC-10BCNAlliance Memory, Inc.参数相近
原型号

IS43TR85120AL-107MBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

查看详情 · 4 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • IM4G08D3FDBG-107Intelligent Memory Ltd.参数相近
原型号

TMPM4G6FDFG(DBB)

Toshiba Semiconductor and Storage

查看详情 · 1 条候选
  • TMPM4GNFDFGToshiba Semiconductor and Storage第三方标注：厂商推荐

技术资料参考

芯片技术资料

409 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

S5KB M4G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 5 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 SMB-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
查看技术资料

S5KBHM4G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 5 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 SMB-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
查看技术资料

S5MB M4G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1000 V、正向电流（If） 5 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 SMB-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
查看技术资料

S5MBHM4G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1000 V、正向电流（If） 5 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 SMB-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
查看技术资料

SK110B M4G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 1 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 0.85 V、正向浪涌电流（Ifsm） 30 A，采用 SMB-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
查看技术资料

SK110BHM4G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 1 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 0.85 V、正向浪涌电流（Ifsm） 30 A，采用 SMB-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
查看技术资料

SK115B M4G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 1 A、重复反向电压（Vrrm） 150 V、正向电压（Vf） 0.95 V、正向浪涌电流（Ifsm） 30 A，采用 SMB-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
查看技术资料

SK115BHM4G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 1 A、重复反向电压（Vrrm） 150 V、正向电压（Vf） 0.95 V、正向浪涌电流（Ifsm） 30 A，采用 SMB-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
查看技术资料

SK12B M4G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 1 A、重复反向电压（Vrrm） 20 V、正向电压（Vf） 0.5 V、正向浪涌电流（Ifsm） 30 A，采用 SMB-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
查看技术资料

SK12BHM4G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 1 A、重复反向电压（Vrrm） 20 V、正向电压（Vf） 0.5 V、正向浪涌电流（Ifsm） 30 A，采用 SMB-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
查看技术资料