搜索结果

原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
PI7C9X20303ULAZPEX	Diodes Incorporated	PI7C9X2G304EVAZXAEX	2026-01-22	查看资料
IHCM2321AAEG301N10	Vishay	ICMS2321AGEG281N10	2025-09-11	查看资料
G30H150CTFW	Diodes Incorporated	SDT30150GCTSP	2022-08-29	查看资料
G30H150CTW	Diodes Incorporated	SDT30150GCT	2022-08-29	查看资料
RHRG1560CC-F085	onsemi	RURG3060CC-F085	2021-04-08	查看资料
CG10167AA	Infineon	CY62147G30-45BVXA		查看资料
CG10167AAT	Infineon	CY62147G30-45BVXA		查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

26 个原型号

原型号

CG8556AA

Infineon Technologies

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命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

CY7C1041G30-10ZSXIInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐

原型号

CY62162G30-45BGXIT

Infineon Technologies

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CY62162G18-55BGXITInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐

原型号

CY7C10612GE30-10ZSXI

Infineon Technologies

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命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

CY7C10612G30-10ZSXIInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐

原型号

CY7S1041G30-10VXI

Infineon Technologies

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AS7C34098A-10JINAlliance Memory, Inc.相似型号

原型号

CY7S1061G30-10ZXIT

Infineon Technologies

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CY7S1061GE30-10ZXITInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐

原型号

DG300BDJ

Vishay Siliconix

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DG300ACJ+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号

原型号

DG302AAK/883

Vishay Siliconix

查看详情 · 2 条候选

DG302AAK/883BAnalog Devices Inc./Maxim Integrated直接替代候选

原型号

DG307AAK/883

Vishay Siliconix

查看详情 · 1 条候选

DG307ACJ+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号

原型号

DG308BDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

查看详情 · 11 条候选

DG408DQ-T1-E3Vishay Siliconix第三方标注：厂商推荐

原型号

DG308BDY

Vishay Siliconix

查看详情 · 8 条候选

DG308BDY-E3Vishay Siliconix参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

765 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

DMG301NU-13

Diodes Incorporated

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 25 V、连续漏极电流（Id） 260 mA，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

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DMG301NU-7

Diodes Incorporated

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、配置 Single、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

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DMG302PU-13

Diodes Incorporated

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 25 V、连续漏极电流（Id） 17 A，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

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DMG302PU-7

Diodes Incorporated

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 25 V、连续漏极电流（Id） 170 mA，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

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DPG30C200HB

IXYS

该型号为二极管，主要参数包括类型 Fast Recovery Diode、产品 Switching Diodes、峰值反向电压 200 V、最大浪涌电流 240 A、正向电流（If） 15 A、配置 Dual，采用 TO-247AD-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching

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DPG30C200PB

IXYS

该型号为二极管，主要参数包括类型 Fast Recovery Diode、产品 Switching Diodes、峰值反向电压 200 V、最大浪涌电流 240 A、正向电流（If） 15 A、配置 Dual，采用 TO-220AB-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching

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DPG30C200PC

IXYS

该型号为二极管，主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifier、峰值反向电压 200 V、最大浪涌电流 240 A、正向电流（If） 15 A、配置 Dual、恢复时间 35 ns，采用 TO-263-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching

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DPG30C200PC-TRL

IXYS

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 15 A、配置 Dual、正向电压（Vf） 1.26 V、最大浪涌电流 240 A，采用 TO-263-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers

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DPG30C200PC-TUB

IXYS

该型号为半导体器件，主要参数包括类型 Fast Recovery、产品 Diode Power Modules、正向电压（Vf） 1.51 V、反向电压（Vr） 200 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 TO-263-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Discrete Semiconductor Modules

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DPG30C300HB

IXYS

该型号为二极管，主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、产品 Rectifiers、最大浪涌电流 240 A、正向电流（If） 15 A、配置 Dual、恢复时间 35 ns，采用 TO-247AD-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching

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