24AA256T/SM
Microchip Technology
- 24AA256/SMMicrochip Technology直接替代候选
28 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| FJ2500049Q | Diodes Incorporated |
| 2025-08-22 | 查看资料 |
| HX31250035 | Diodes Incorporated |
| 2025-06-16 | 查看资料 |
| HX2125004Q | Diodes Incorporated |
| 2024-11-14 | 查看资料 |
| FJ2500011 | Diodes Incorporated |
| 2024-06-25 | 查看资料 |
| FK2500042 | Diodes Incorporated |
| 2024-06-25 | 查看资料 |
| FK2500054 | Diodes Incorporated |
| 2024-06-25 | 查看资料 |
| HX21250020 | Diodes Incorporated |
| 2024-06-25 | 查看资料 |
| HX3125021Q | Diodes Incorporated |
| 2024-06-25 | 查看资料 |
| HX3125025Z | Diodes Incorporated |
| 2024-06-25 | 查看资料 |
| 7130SA55CM | Renesas |
| 2023-12-05 | 查看资料 |
| NLAS3899BMNTBG | onsemi |
| 2023-10-02 | 查看资料 |
| NLAS3899BMNTWG | onsemi |
| 2023-10-02 | 查看资料 |
| NLAS3899BMNTXG | onsemi |
| 2023-10-02 | 查看资料 |
| 71256SA25PZG | Renesas |
| 2023-05-18 | 查看资料 |
| 71256SA25PZG8 | Renesas |
| 2023-05-18 | 查看资料 |
| 71256SA25PZGI | Renesas |
| 2023-05-18 | 查看资料 |
| 71256SA25PZGI8 | Renesas |
| 2023-05-18 | 查看资料 |
| 71256SA25YG | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 71256SA25YG8 | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| KA258ADTF | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
| VS-HFA25PB60PBF | Vishay |
| 2019-09-14 | 查看资料 |
| 0W463-002-XDI | onsemi |
| 查看资料 | |
| CG9059AM | Infineon |
| 查看资料 | |
| CG9059AMT | Infineon |
| 查看资料 | |
| CY14B101LA-SZ25XI | Infineon |
| 查看资料 | |
| CY14B101LA-SZ25XIT | Infineon |
| 查看资料 | |
| ESDA25B1 | STMicroelectronics |
| 查看资料 | |
| OPA241PA | Texas Instruments |
| 查看资料 |
来源:第三方数据源非原厂公告
Microchip Technology
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命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Renesas Electronics Corporation
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技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Wolfspeed / Cree
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 2.5~6 GHz、测试频率 2.5~6 GHz、技术 GaN SiC、类型 RF Power Amplifier,采用 12.83 mm x 12.83 mm x 4.12 mm 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierCypress Semiconductor
主要参数包括湿敏性 是。
半导体 > Memory ICs > NVRAMInfineon Technologies
主要参数包括原产国家或地区 TH、湿敏性 是,采用 FBGA-48 封装。
半导体 > Memory ICs > NVRAMCypress Semiconductor
主要参数包括湿敏性 是。
半导体 > Memory ICs > NVRAMInfineon Technologies
主要参数包括湿敏性 是,采用 FBGA-48 封装。
半导体 > Memory ICs > NVRAMCypress Semiconductor
主要参数包括湿敏性 是。
半导体 > Memory ICs > NVRAMInfineon Technologies
主要参数包括组装国家或地区 中国台湾、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、单件重量 0.104226 oz,采用 FBGA-48 封装。
半导体 > Memory ICs > NVRAMCypress Semiconductor
主要参数包括湿敏性 是。
半导体 > Memory ICs > NVRAMInfineon Technologies
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是,采用 FBGA-48 封装。
半导体 > Memory ICs > NVRAMCypress Semiconductor
主要参数包括湿敏性 是、单件重量 0.004203 oz。
半导体 > Memory ICs > NVRAM