原型号
查看详情 · 1 条候选66AK2H12BAAWA24
Texas Instruments
- 66AK2H12DAAWA24Texas Instruments直接替代候选
搜索结果
原厂资料
9 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| 6KA24L-01HE3_A/E | Vishay |
| 2022-09-16 | 查看资料 |
| 6KA24L-2HE3_A/E | Vishay |
| 2022-09-16 | 查看资料 |
| 6KA24L-4HE3_A/E | Vishay |
| 2022-09-16 | 查看资料 |
| 6KA24L-6600HE3_A/P | Vishay |
| 2022-09-16 | 查看资料 |
| 6KA24L-7001HE3_A/E | Vishay |
| 2022-09-16 | 查看资料 |
| FSA2457UMX | onsemi |
| 2022-06-30 | 查看资料 |
| FSA2467UMX | onsemi |
| 2019-07-16 | 查看资料 |
| MMT05B260T3G | onsemi |
| 查看资料 | |
| OPA241PA | Texas Instruments |
| 查看资料 |
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
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Renesas Electronics Corporation
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- TS3A24159DRCRTexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 1 条候选ISL84684IR-T
Renesas Electronics Corporation
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- TS3A24159DRCRTexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 1 条候选ISL84684IUZ
Renesas Electronics Corporation
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原型号
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Texas Instruments
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原型号
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Texas Instruments
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原型号
查看详情 · 12 条候选LP2992IM5-2.5/NOPB
Texas Instruments
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- TPS7A2425DBVRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号
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Microchip Technology
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原型号
查看详情 · 6 条候选S-1121B24MC-N2JTFG
ABLIC Inc.
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- XC6504A241MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
SIRA24DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 25 V、连续漏极电流（Id） 60 A，采用 PowerPAK-SO-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSISA24DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 25 V、连续漏极电流（Id） 60 A，采用 PowerPAK-1212-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSISA24DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 25 V、连续漏极电流（Id） 60 A，采用 PowerPAK-1212-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsSMA24
MACOM
RF Amplifier 5-1500MHz NF 4.2dB Gain 20dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierSMDA24.TBT
Semtech
该型号为二极管，主要参数包括通道数 4 个通道、工作电源电压 24 V、接触放电静电耐受电压 8 kV、空气放电静电耐受电压 15 kV、极性 Unidirectional、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD SuppressorsSMDA24C-8.TBT
Semtech
该型号为二极管，主要参数包括通道数 8 个通道、工作电源电压 24 V、接触放电静电耐受电压 8 kV、空气放电静电耐受电压 15 kV、极性 Bidirectional、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD SuppressorsSSA24
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 2 A、重复反向电压（Vrrm） 40 V、正向电压（Vf） 500 mV，采用 DO-214-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSSA24
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 2 A、重复反向电压（Vrrm） 40 V、正向电压（Vf） 500 mV，采用 DO-214-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSSA24-E3/5AT
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 2 A、重复反向电压（Vrrm） 40 V、正向电压（Vf） 490 mV，采用 SMA (DO-214AC) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSSA24-E3/61T
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 2 A、重复反向电压（Vrrm） 40 V、正向电压（Vf） 490 mV，采用 SMA (DO-214AC) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers