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原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
2DD2656-7	Diodes Incorporated	DSS4140U-7	2023-02-22	查看资料
DNLS160V-7	Diodes Incorporated	DSS4160V-7	2021-03-15	查看资料

技术资料参考

芯片技术资料

423 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

PBSS4350X,147

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-89-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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PBSS4350Z,135

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 3 A，采用 SOT-223-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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PBSS4350Z-QF

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SC-73-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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PBSS4360PAS-QX

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 6 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 DFN-2020D-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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PBSS4360PASX

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-2020D-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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PBSS4360X-QF

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区马来西亚、型号别名 934669912135。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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PBSS4360X-QX

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区马来西亚、型号别名 934669912115。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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PBSS4360XF

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 400 mV，采用 SOT-89-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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PBSS4360XX

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 400 mV，采用 SOT-89-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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PBSS4360Z-QX

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区马来西亚、型号别名 934669903115。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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