原型号
查看详情 · 2 条候选NX3P2902BUKZ
NXP USA Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- BUS1DJC0GWZ-E2Rohm Semiconductor相似型号
搜索结果
原厂资料
13 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| FUS1DD_HF | Diodes Incorporated |
| 2025-07-23 | 查看资料 |
| U1D-E3/5AT | Vishay |
| 2024-04-08 | 查看资料 |
| U1D-E3/61T | Vishay |
| 2024-04-08 | 查看资料 |
| U1D-M3/5AT | Vishay |
| 2024-04-08 | 查看资料 |
| U1D-M3/61T | Vishay |
| 2024-04-08 | 查看资料 |
| NTBGS001N06C | onsemi |
| 2023-12-22 | 查看资料 |
| NTBGS1D5N06C | onsemi |
| 2023-12-22 | 查看资料 |
| FDB024N06 | onsemi |
| 2023-10-06 | 查看资料 |
| NVMFS5H600NLWFT1G | onsemi |
| 2023-06-30 | 查看资料 |
| AS1D | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| FDB9406-F085 | onsemi |
| 2023-03-30 | 查看资料 |
| NVBGS1D2N08H | onsemi |
| 2023-03-30 | 查看资料 |
| FDMS1D4N03S | onsemi |
| 2021-04-08 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
MCACLS1D6N06YH-TP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsMURS1D-TP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括类型 Super Fast Recovery Rectifier、原产国家或地区 中国、产品 Rectifiers、单件重量 0.002222 oz。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersMURS1DBL-TP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括类型 Super Fast Recovery Rectifier、原产国家或地区 中国、产品 Rectifiers、单件重量 0.003280 oz。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersNRVHPRS1DFA
ON Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 800 mA、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V at 0.8 A、最大浪涌电流 30 A，采用 SOD-123FA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersNRVS1DFL
ON Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SOD-123F-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersNTBGS1D5N06C
onsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V、连续漏极电流（Id） 267 A、漏源导通电阻（Rds On） 1.62 mOhms，采用 D2PAK-7 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsNTBLS1D1N08H
onsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 80 V、连续漏极电流（Id） 351 A，采用 TO-LL8-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsNTBLS1D1N08XTXG
onsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 80 V、连续漏极电流（Id） 299 A，采用 H-PSOF-8L 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsNTBLS1D5N08MC
onsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 80 V、连续漏极电流（Id） 298 A，采用 TO-LL8-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsNTBLS1D5N10MCTXG
onsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 312 A。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs