原型号
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Infineon Technologies
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- CY7C1041G30-10ZSXIInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐
搜索结果
原厂资料
7 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| PI7C9X20303ULAZPEX | Diodes Incorporated |
| 2026-01-22 | 查看资料 |
| IHCM2321AAEG301N10 | Vishay |
| 2025-09-11 | 查看资料 |
| G30H150CTFW | Diodes Incorporated |
| 2022-08-29 | 查看资料 |
| G30H150CTW | Diodes Incorporated |
| 2022-08-29 | 查看资料 |
| RHRG1560CC-F085 | onsemi |
| 2021-04-08 | 查看资料 |
| CG10167AA | Infineon |
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| CG10167AAT | Infineon |
| 查看资料 |
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 1 条候选CY62162G30-45BGXIT
Infineon Technologies
- CY62162G18-55BGXITInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐
原型号
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Infineon Technologies
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
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原型号
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Infineon Technologies
- AS7C34098A-10JINAlliance Memory, Inc.相似型号
原型号
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Infineon Technologies
- CY7S1061GE30-10ZXITInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐
原型号
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Vishay Siliconix
- DG300ACJ+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号
原型号
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Vishay Siliconix
- DG302AAK/883BAnalog Devices Inc./Maxim Integrated直接替代候选
原型号
查看详情 · 1 条候选DG307AAK/883
Vishay Siliconix
- DG307ACJ+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号
原型号
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Vishay Siliconix
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原型号
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Vishay Siliconix
- DG308BDY-E3Vishay Siliconix参数相近
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
DG309DY+
Maxim Integrated
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5～30 V、双电源电压 +/- 15 V、最大双电源电压 +/- 20 V、最小双电源电压 +/- 5 V、电源电压（最大值） 30 V、电源电压（最小值） 5 V，采用 SOIC-Narrow-16 封装。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Analog Switch ICsDG309DY+
Analog Devices / Maxim Integrated
该型号为集成电路，主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、最小双电源电压 +/- 5 V、最大双电源电压 +/- 20 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply，采用 SOIC-Narrow-16 封装。
半导体 > Switch ICs > Analog Switch ICsDG309DY-E3
Vishay / Siliconix
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 15 V、双电源电压 +/- 15 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply、开关数 4 Switch、配置 4 x SPST、导通电阻（最大值） 100 Ω，采用 SOIC-Narrow-16 封装。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Analog Switch ICsDG309DY-T1-E3
Vishay / Siliconix
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 15 V、双电源电压 +/- 15 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply、开关数 4 Switch、配置 4 x SPST、导通电阻（最大值） 100 Ω，采用 SOIC-Narrow-16 封装。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Analog Switch ICsDHG30I1200HA
IXYS
该型号为二极管，主要参数包括类型 Fast Recovery Diode、产品 Switching Diodes、峰值反向电压 1.2 kV、最大浪涌电流 200 A、正向电流（If） 30 A、配置 Single，采用 TO-247AD-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingDHG30I600HA
IXYS
该型号为二极管，主要参数包括类型 Fast Recovery Diode、产品 Switching Diodes、峰值反向电压 600 V、最大浪涌电流 200 A、正向电流（If） 30 A、配置 Single，采用 TO-247AD-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingDHG30I600PA
IXYS
该型号为二极管，主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifier、峰值反向电压 600 V、最大浪涌电流 200 A、正向电流（If） 30 A、配置 Single、恢复时间 35 ns，采用 TO-220-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingDHG30IM600PC
IXYS
该型号为二极管，主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifier、峰值反向电压 600 V、最大浪涌电流 200 A、正向电流（If） 30 A、配置 Single、恢复时间 35 ns，采用 TO-263AB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingDHG30IM600PC-TRL
IXYS
主要参数包括原产国家或地区 菲律宾、产品 Rectifiers。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersDHG30IM600PC-TUB
IXYS
该型号为半导体器件，主要参数包括类型 Fast Recovery Diode、产品 Diode Power Modules、正向电压（Vf） 3.11 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C、配置 Single，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete Semiconductor Modules