SBC847CDW1T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-363-6 封装。
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原厂资料
9 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| BC847BLP4-7 | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
| BC847BV-13 | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
| BC847BV-7 | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
| BC847BVC-7-F | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
| DN0150ALP4-7 | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
| DN0150ALP4-7B | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
| DN0150BLP4-7 | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
| DN0150BLP4-7B | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
| BC847CM3T5G | onsemi |
| 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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SBC847CDW1T1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-363-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTSBC847CDXV6T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTSBC847CDXV6T1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTSBC847CLT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTSBC847CLT1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTSBC847CWT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.000212 oz。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTSBC847CWT1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTSBC847CWT3G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTSBC847CWT3G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V。
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