66AK2H12BAAWA24
Texas Instruments
- 66AK2H12DAAWA24Texas Instruments直接替代候选
9 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| 6KA24L-01HE3_A/E | Vishay |
| 2022-09-16 | 查看资料 |
| 6KA24L-2HE3_A/E | Vishay |
| 2022-09-16 | 查看资料 |
| 6KA24L-4HE3_A/E | Vishay |
| 2022-09-16 | 查看资料 |
| 6KA24L-6600HE3_A/P | Vishay |
| 2022-09-16 | 查看资料 |
| 6KA24L-7001HE3_A/E | Vishay |
| 2022-09-16 | 查看资料 |
| FSA2457UMX | onsemi |
| 2022-06-30 | 查看资料 |
| FSA2467UMX | onsemi |
| 2019-07-16 | 查看资料 |
| MMT05B260T3G | onsemi |
| 查看资料 | |
| OPA241PA | Texas Instruments |
| 查看资料 |
来源:第三方数据源非原厂公告
Texas Instruments
Renesas Electronics Corporation
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Texas Instruments
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Microchip Technology
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ABLIC Inc.
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技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
NXP Semiconductors
该型号为16 位微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 25 MHz、程序存储容量 240 kB、数据 RAM 容量 11 kB、ADC 分辨率 12 位、DAC 分辨率 8 位、输入/输出数 54 个输入/输出,采用 LQFP-64 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 16-bit Microcontrollers - MCUNXP / Freescale
该型号为16 位微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 25 MHz、程序存储容量 240 kB、数据 RAM 容量 11 kB、ADC 分辨率 12 位、DAC 分辨率 8 位、输入/输出数 86 个输入/输出,采用 LQFP-100 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 16-bit Microcontrollers - MCUNXP Semiconductors
该型号为16 位微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 25 MHz、程序存储容量 240 kB、数据 RAM 容量 11 kB、ADC 分辨率 12 位、DAC 分辨率 8 位、输入/输出数 86 个输入/输出,采用 LQFP-100 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 16-bit Microcontrollers - MCUNXP / Freescale
该型号为16 位微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 25 MHz、程序存储容量 240 kB、数据 RAM 容量 11 kB、ADC 分辨率 12 位、DAC 分辨率 8 位、输入/输出数 86 个输入/输出,采用 LQFP-100 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 16-bit Microcontrollers - MCUNXP Semiconductors
该型号为16 位微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 25 MHz、程序存储容量 240 kB、数据 RAM 容量 11 kB、ADC 分辨率 12 位、DAC 分辨率 8 位、输入/输出数 86 个输入/输出,采用 LQFP-100 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 16-bit Microcontrollers - MCUPanjit
该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流(If) 2 A、重复反向电压(Vrrm) 40 V、正向电压(Vf) 370 mV,采用 SOD-323HE-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSanRex
该型号为半导体器件,主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 日本、商品名称 SanRex、单件重量 7.407532 oz。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor ModulesVishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 600 V、连续漏极电流(Id) 12 A,采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETVishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 700 V、连续漏极电流(Id) 24 A、漏源导通电阻(Rds On) 156 mOhms,采用 TO-220FP-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETVishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 E Series Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 800 V、连续漏极电流(Id) 9 A,采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs