SK29AHF3G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 2 A、重复反向电压（Vrrm） 90 V、正向电压（Vf） 0.85 V、正向浪涌电流（Ifsm） 50 A、配置 Single，采用 DO-214AC-2 封装。
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SK29AHM2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 2 A、重复反向电压（Vrrm） 90 V、正向电压（Vf） 0.85 V、正向浪涌电流（Ifsm） 50 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSK29AHR2
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 2 A、重复反向电压（Vrrm） 90 V、正向电压（Vf） 0.85 V、正向浪涌电流（Ifsm） 50 A、配置 Single，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSK29AHR2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 2 A、重复反向电压（Vrrm） 90 V、正向电压（Vf） 0.85 V、正向浪涌电流（Ifsm） 50 A、配置 Single，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSK29AHR3
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 2 A、重复反向电压（Vrrm） 90 V、正向电压（Vf） 0.85 V、正向浪涌电流（Ifsm） 50 A、配置 Single，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSK29AHR3G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 2 A、重复反向电压（Vrrm） 90 V、正向电压（Vf） 0.85 V、正向浪涌电流（Ifsm） 50 A、配置 Single，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers2SK2009TE85LF
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、类型 RF Small Signal MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V，采用 SOT-346-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET2SK208-GR(TE85L,F)
Toshiba
主要参数包括类型 JFET。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFET2SK208-O(TE85L,F)
Toshiba
主要参数包括类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、配置 Single、连续漏极电流（Id） 6.5 mA、耗散功率（Pd） 100 mW、栅源截止电压 - 5 V，采用 SOT-346-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFET2SK208-R(TE85L,F)
Toshiba
主要参数包括类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、配置 Single、漏源击穿电压（Vds） 10 V、栅源击穿电压（Vgs） - 30 V、栅源电压为零时的漏源电流 0.3 mA，采用 SC-59-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFET