原型号
查看详情 · 3 条候选LD29300D2M50
STMicroelectronics
- MIC29150-5.0WUMicrochip Technology相似型号
搜索结果
原厂资料
18 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| VC-806-HDE-FAAN-212M500000 | Microchip |
| 2023-06-06 | 查看资料 |
| VCC6-LCF-212M500000 | Microchip |
| 2023-06-06 | 查看资料 |
| FM5000002 | Diodes Incorporated |
| 2023-03-30 | 查看资料 |
| FSAM50SM60A | onsemi |
| 2021-04-08 | 查看资料 |
| STK5F1U3E3D-E | onsemi |
| 2021-01-29 | 查看资料 |
| AD5161BRM50 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5161BRM50-RL7 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5173BRM50 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5173BRM50-RL7 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5243BRM50-RL7 | Analog Devices |
| 2012-04-19 | 查看资料 |
| LM5025DMTC/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5025DMTCX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5027AMH/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5027AMHX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5027ASQ/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5035DMHX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5037MT/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5037MTX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 |
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 20 条候选LD2982BM50R
STMicroelectronics
- LD2980ABM50TRSTMicroelectronics参数相近
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STMicroelectronics
- LP2985IM5X-5.0/NOPBTexas Instruments直接替代候选
原型号
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Lattice Semiconductor Corporation
- LFE2M50E-6FN484CLattice Semiconductor Corporation相似型号
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Lattice Semiconductor Corporation
- LFE2M50E-7FN484CLattice Semiconductor Corporation直接替代候选
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Lattice Semiconductor Corporation
- LFE2M50SE-6FN672CLattice Semiconductor Corporation直接替代候选
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Texas Instruments
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Texas Instruments
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
FMAM5085
Fairview Microwave
主要参数包括工作电源电压 11～32 V、工作频率 1～2.5 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 2.2 A、增益 13.6 dB。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierFMAM5086
Fairview Microwave
主要参数包括工作电源电压 12～30 V、工作频率 30 MHz to 2.7 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 1.4 A、增益 35 dB。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierFMM50-025TF
IXYS
主要参数包括技术 Si、类型 Trench Gate HiperFET Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 250 V、连续漏极电流（Id） 30 A、漏源导通电阻（Rds On） 60 mOhms，采用 ISOPLUS-i4-PAK-5 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETFPAM50LH60
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括耗散功率（Pd） 135 W、单件重量 1.321468 oz，采用 SPM-32 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Power Factor Correction - PFCFSAM50SM60A
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、集电极－发射极饱和电压 2.4 V、耗散功率（Pd） 100 W、最小工作温度 - 20 C、最大工作温度 + 125 C、连续集电极电流 50 A，采用 SPM32-AA 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT TransistorsHCEM500DBE8P3
TE Connectivity / First Sensor
该型号为传感器，主要参数包括工作电源电压 3 V、电源电压（最大值） 3.3 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 SPI、压力类型 Differential、输出类型 Digital, Analog。
半导体 > Sensor ICs > Board Mount Pressure SensorsHCEM500DBE8P5
TE Connectivity / First Sensor
该型号为传感器，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 SPI、压力类型 Differential、输出类型 Digital, Analog。
半导体 > Sensor ICs > Board Mount Pressure SensorsHCEM500DBE9P5
TE Connectivity / First Sensor
该型号为传感器，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 SPI、压力类型 Differential、输出类型 Digital, Analog。
半导体 > Sensor ICs > Board Mount Pressure SensorsHCEM500GUH9P3
TE Connectivity / First Sensor
该型号为传感器，主要参数包括工作电源电压 3 V、电源电压（最大值） 3.3 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 SPI、压力类型 Gauge、输出类型 Digital, Analog。
半导体 > Sensor ICs > Board Mount Pressure SensorsHDIM500DBE8P3
TE Connectivity / First Sensor
该型号为传感器，主要参数包括工作电源电压 3 V、电源电压（最大值） 3.3 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 I2C、压力类型 Differential、输出类型 Digital, Analog。
半导体 > Sensor ICs > Board Mount Pressure Sensors