原型号
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MaxLinear, Inc.
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- OPA725AIDBVRTexas Instruments相似型号
搜索结果
第三方参考
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原型号
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Renesas Electronics Corporation
- DA7280-00V42Renesas Electronics Corporation参数相近
原型号
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Renesas Electronics Corporation
- DA7283-01FVCRenesas Electronics Corporation参数相近
原型号
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Texas Instruments
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- TPA721DTexas Instruments相似型号
原型号
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Texas Instruments
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- TPA721DTexas Instruments相似型号
原型号
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NXP USA Inc.
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- TPA721DTexas Instruments相似型号
原型号
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Microchip Technology
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- OPA725AIDRTexas Instruments相似型号
原型号
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Texas Instruments
- AD8091ARTZ-R7Analog Devices Inc.相似型号
原型号
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Texas Instruments
- OPA726AIDTexas Instruments相似型号
原型号
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Toshiba Semiconductor and Storage
- TB6640FTG,ELToshiba Semiconductor and Storage相似型号
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
R7FA2E2A72DNJ#UA1
Renesas Electronics
该型号为微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 48 MHz、程序存储容量 64 kB、数据 RAM 容量 8 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 15 个输入／输出、定时器／计数器数 6 x 16 bit，采用 HWQFN-20 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > ARM Microcontrollers - MCUR7FA2E2A72DNK#AA1
Renesas Electronics
该型号为微控制器（MCU），主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、商品名称 RA。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > ARM Microcontrollers - MCUR7FA2E2A72DNK#BA1
Renesas Electronics
该型号为微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 48 MHz、程序存储容量 64 kB、数据 RAM 容量 8 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 19 个输入／输出、ADC 通道数 8 个通道，采用 HWQFN-24 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > ARM Microcontrollers - MCUR7FA2E2A72DNK#HA1
Renesas Electronics
该型号为微控制器（MCU），主要参数包括原产国家或地区 日本、湿敏性 是、商品名称 RA。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > ARM Microcontrollers - MCUR7FA2E2A72DNK#UA1
Renesas Electronics
该型号为微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 48 MHz、程序存储容量 64 kB、数据 RAM 容量 8 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 19 个输入／输出、定时器／计数器数 6 x 16 bit，采用 HWQFN-24 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > ARM Microcontrollers - MCUR9A09G077M44GBG#AC0
Renesas Electronics
该型号为微处理器（MPU），主要参数包括内核数 4 Core、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、商品名称 RZ，采用 FCBGA-729 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microprocessors - MPUSIJA72ADP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 96 A，采用 PowerPAK SO-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSIJA72ADP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 96 A，采用 PowerPAK-SO-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsSIRA72DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括技术 Si、商品名称 TrenchFET, PowerPAK，采用 PowerPAK-SO-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSISA72ADN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 94 A，采用 PowerPAK1212-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET