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原厂资料

28 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
FJ2500049QDiodes Incorporated
  • HX2A25015Q
2025-08-22查看资料
HX31250035Diodes Incorporated
  • HX3A25013J
2025-06-16查看资料
HX2125004QDiodes Incorporated
  • HX2A25004Q
2024-11-14查看资料
FJ2500011Diodes Incorporated
  • HX2A250003
2024-06-25查看资料
FK2500042Diodes Incorporated
  • HX3A250004
2024-06-25查看资料
FK2500054Diodes Incorporated
  • HX3A250002
2024-06-25查看资料
HX21250020Diodes Incorporated
  • HX2A250006
2024-06-25查看资料
HX3125021QDiodes Incorporated
  • HX3A25006Q
2024-06-25查看资料
HX3125025ZDiodes Incorporated
  • HX3A25005Z
2024-06-25查看资料
7130SA55CMRenesas
  • 7130LA25PFGI
2023-12-05查看资料
NLAS3899BMNTBGonsemi
  • FSA2567UMX
2023-10-02查看资料
NLAS3899BMNTWGonsemi
  • FSA2567MPX
2023-10-02查看资料
NLAS3899BMNTXGonsemi
  • FSA2567MPX
2023-10-02查看资料
71256SA25PZGRenesas
  • 71256SA20TPG
2023-05-18查看资料
71256SA25PZG8Renesas
  • 71256SA20TPG
2023-05-18查看资料
71256SA25PZGIRenesas
  • 71256SA20TPG
2023-05-18查看资料
71256SA25PZGI8Renesas
  • 71256SA20TPG
2023-05-18查看资料
71256SA25YGRenesas
  • 71256SA25PZGI
2022-02-28查看资料
71256SA25YG8Renesas
  • 71256SA25PZGI8
2022-02-28查看资料
KA258ADTFonsemi
  • LM258DR2G
2019-11-04查看资料
VS-HFA25PB60PBFVishay
  • VS-HFA25PB60-N3
2019-09-14查看资料
0W463-002-XDIonsemi
  • CAT25A256DTR
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CG9059AMInfineon
  • CY14B101LA-BA25XI
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CG9059AMTInfineon
  • CY14B101LA-BA25XIT
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CY14B101LA-SZ25XIInfineon
  • CY14B101LA-BA25XI
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CY14B101LA-SZ25XITInfineon
  • CY14B101LA-BA25XIT
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ESDA25B1STMicroelectronics
  • ESDA25SC6Y
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OPA241PATexas Instruments
  • OPA241UA/2K5
  • OPA251UA/2K5
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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

128 个原型号
原型号

24AA256T/SM

Microchip Technology

查看详情 · 10 条候选
  • 24AA256/SMMicrochip Technology直接替代候选
原型号

24FC256-I/ST

Microchip Technology

查看详情 · 6 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 24AA256UID-I/STMicrochip Technology相似型号
原型号

6116LA20SOGI8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 6116LA25SOGI8Renesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71256SA25YG

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 10 条候选
  • AS7C256A-10JCNAlliance Memory, Inc.相似型号
原型号

7130LA25JGI8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • 71342LA25PFGIRenesas Electronics Corporation第三方标注：厂商推荐
原型号

7130LA25TFI

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • 7130LA25TFGIRenesas Electronics Corporation直接替代候选
原型号

7130SA35JI

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 7130LA25JGIRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号

7130SA55JI

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 7130LA25JGIRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号

7130SA55PFI8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 7130LA25PFGI8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号

71321LA25PFI8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • 71321LA25PFGI8Renesas Electronics Corporation直接替代候选

技术资料参考

芯片技术资料

960 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

BA25DD0T

ROHM Semiconductor

该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 2.5 V、输出电流 2 A、输出类型 Fixed、输出数 1 Output、极性 Positive、输入电压（最大值） 25 V，采用 TO-220-3 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage Regulators
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BA25DD0WHFP-TR

ROHM Semiconductor

该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 2.5 V、输出电流 2 A、输出类型 Fixed、类型 Voltage Regulator、输出数 1 Output、输入电压（最大值） 25 V，采用 HRP-5 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage Regulators
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BA25F18WHFP-TR

ROHM Semiconductor

该型号为低压差线性稳压器（LDO）。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage Regulators
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BLP9LA25SGXY

Ampleon

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 941 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、漏源导通电阻（Rds On） 128 mOhms，采用 TO-270-2G-1-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 射频晶体管 > RF MOSFET Transistors
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BLP9LA25SGZ

Ampleon

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 941 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、漏源导通电阻（Rds On） 128 mOhms，采用 TO-270-2G-1-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 射频晶体管 > RF MOSFET Transistors
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BLP9LA25SXY

Ampleon

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 941 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、漏源导通电阻（Rds On） 128 mOhms，采用 TO-270-2F-1-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 射频晶体管 > RF MOSFET Transistors
查看技术资料

BLP9LA25SZ

Ampleon

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 941 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、漏源导通电阻（Rds On） 128 mOhms，采用 TO-270-2F-1-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 射频晶体管 > RF MOSFET Transistors
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BR25A256F-3MGE2

ROHM Semiconductor

主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 SPI，采用 SOP-8 封装。

半导体 > Memory ICs > EEPROM
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BR25A256FJ-3MGE2

ROHM Semiconductor

主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 256 kB、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, SPI，采用 SOP-J8 封装。

半导体 > Memory ICs > EEPROM
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BR25A256FVT-3MGE2

ROHM Semiconductor

主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 256 kB、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, SPI，采用 TSSOP-B8 封装。

半导体 > Memory ICs > EEPROM
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