MM3Z33VST1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 33 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 2 %、电压温度系数 33.4 mV/K、稳压管电流 0.05 uA、稳压管阻抗（Zz） 80 Ω，采用 SOD-323-2 封装。
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MM3Z36VST1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 36 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 2 %、电压温度系数 37.4 mV/K、稳压管电流 0.05 uA、稳压管阻抗（Zz） 90 Ω，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMM3Z39VST1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 39 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 2 %、电压温度系数 41.2 mV/K、稳压管电流 0.05 uA、稳压管阻抗（Zz） 130 Ω，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesNZ9F10VST5G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 10.21 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压温度系数 4.5 mV/K to 8 mV/K、稳压管电流 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 30 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-923-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesNZ9F10VST5G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 10 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压容差 2 %、最大反向漏电流（Ir） 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 30 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-923-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesNZ9F11VST5G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 11.22 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压温度系数 5.4 mV/K to 9 mV/K、稳压管电流 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 30 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-923-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesNZ9F11VST5G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 11 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压容差 2 %、最大反向漏电流（Ir） 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 30 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-923-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesNZ9F12VST5G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 11.99 V、耗散功率（Pd） 200 mW、电压容差 2 %、电压温度系数 8 mV/K、稳压管阻抗（Zz） 30 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-923 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesNZ9F12VST5G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 12 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压容差 2 %、最大反向漏电流（Ir） 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 30 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-923-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesNZ9F13VST5G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 13.2 V、耗散功率（Pd） 200 mW、电压容差 2 %、电压温度系数 9 mV/K、稳压管阻抗（Zz） 37 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-923 封装。
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