US1BFL-TP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括类型 Ultra Fast Recovery Rectifiers、原产国家或地区 中国、产品 Rectifiers、单件重量 0.001235 oz。
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技术资料参考
芯片技术资料
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US1BHE3_A/H
Vishay Semiconductors
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、产品 Rectifiers，采用 SMA 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersUS1BHE3_A/I
Vishay Semiconductors
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、产品 Rectifiers，采用 SMA 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersUS1BHF2
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 100 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersUS1BHF2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 100 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersUS1BHF3
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 100 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersUS1BHF3G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 100 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersUS1BHM2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 100 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersUS1BHR2
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 100 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersUS1BHR2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 100 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC-2 封装。
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