1SMA5922BT3G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 7.5 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 2.5 uA、稳压管阻抗（Zz） 3 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SMA-2 封装。
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1SMA5922BT3G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 7.5 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 2.5 uA、稳压管阻抗（Zz） 3 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA5923BT3G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 8.2 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 2.5 uA、稳压管阻抗（Zz） 3.5 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA5923BT3G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 8.2 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 2.5 uA、稳压管阻抗（Zz） 3.5 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA5924BT3G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 2.5 uA、稳压管阻抗（Zz） 4 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA5924BT3G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 2.5 uA、稳压管阻抗（Zz） 4 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA5925BT3G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 10 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 2.5 uA、稳压管阻抗（Zz） 4.5 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA5926
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 11 V、耗散功率（Pd） 1.5 W、电压容差 5 %、稳压管阻抗（Zz） 5.5 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA5926 M2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 11 V、耗散功率（Pd） 1.5 W、稳压管电流 136 mA、稳压管阻抗（Zz） 5.5 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA5926 R2
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 11 V、耗散功率（Pd） 1.5 W、电压容差 5 %、稳压管电流 136 mA、稳压管阻抗（Zz） 5.5 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-214AC-2 封装。
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