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原厂资料

20 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
SBR40U200CTBDiodes Incorporated
  • SBR40U200CTB-13
2025-07-23查看资料
SBR40U100CT-01Diodes Incorporated
  • SBR40U100CT-1
2023-05-15查看资料
SBR40U100CT-01-2084Diodes Incorporated
  • SBR40U100CT-1
2023-05-15查看资料
SBR40U100CT-2223Diodes Incorporated
  • SBR40U100CT
2023-05-15查看资料
SBR40U100CT-G-2223Diodes Incorporated
  • SBR40U100CT-G
2023-05-15查看资料
SBR40U120CT-2223Diodes Incorporated
  • SBR40U120CT
2023-05-15查看资料
SBR40U120CT-E1Diodes Incorporated
  • SBR40U120CT
2023-05-15查看资料
SBR40U120CT-G-2223Diodes Incorporated
  • SBR40U120CT-G
2023-05-15查看资料
SBR40U150CT-2223Diodes Incorporated
  • SBR40U150CT
2023-05-15查看资料
SBR40U150CT-G-2223Diodes Incorporated
  • SBR40U150CT-G
2023-05-15查看资料
SBR40U45CT-2223Diodes Incorporated
  • SBR40U45CT
2023-05-15查看资料
SBR40U45CT-G-2223Diodes Incorporated
  • SBR40U45CT-G
2023-05-15查看资料
SBR40U60CT-2223Diodes Incorporated
  • SBR40U60CT
2023-05-15查看资料
SBR40U60CT-G-2223Diodes Incorporated
  • SBR40U60CT-G
2023-05-15查看资料
SBR40U60CTE-2223Diodes Incorporated
  • SBR40U60CTE
2023-05-15查看资料
SBR40100CTFP-JTDiodes Incorporated
  • SBR40100CTFP-G
2021-05-24查看资料
SBR40150CTFPDiodes Incorporated
  • SBR40150CTFP-G
2021-05-24查看资料
SBR40150CTFP-JTDiodes Incorporated
  • SBR40150CTFP-G
2021-05-24查看资料
SBR4060CTFP-JTDiodes Incorporated
  • SBR4060CTFP
2021-05-24查看资料
SBR40U100CT-E1Diodes Incorporated
  • SBR40U100CT-G
2021-05-24查看资料

技术资料参考

芯片技术资料

33 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

SBR40U200CTBQ-13

Diodes Incorporated

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Dual Anode Common Cathode、正向电流（If） 20 A、重复反向电压（Vrrm） 200 V、正向电压（Vf） 850 mV，采用 D2PAK-3 (TO-263-3) 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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SBR40U300CT

Diodes Incorporated

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、类型 Switching Diode、正向电流（If） 40 A、重复反向电压（Vrrm） 300 V、正向电压（Vf） 0.89 V、正向浪涌电流（Ifsm） 235 A，采用 TO-220AB-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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SBR40U300CT-G

Diodes Incorporated

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Dual、正向电流（If） 20 A、重复反向电压（Vrrm） 300 V、正向电压（Vf） 840 mV，采用 TO-220AB-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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SBR40U300CTB

Diodes Incorporated

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 175 C、技术 Si、类型 Switching Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 40 A、重复反向电压（Vrrm） 300 V，采用 TO-263-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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SBR40U300CTB-13

Diodes Incorporated

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 175 C、技术 Si、类型 Switching Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 40 A、重复反向电压（Vrrm） 300 V，采用 TO-263-3 封装。

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SBR40U45CT

Diodes Incorporated

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 40 A、重复反向电压（Vrrm） 45 V，采用 TO-220AB-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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SBR40U60CT

Diodes Incorporated

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 40 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V，采用 TO-220AB-3 封装。

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SBR40U60CTB-13

Diodes Incorporated

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 40 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V、正向电压（Vf） 0.55 V，采用 TO-263-3 封装。

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SBR40U60CTE

Diodes Incorporated

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 20 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V、正向电压（Vf） 0.6 V，采用 TO-262-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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SBR440SB-13

Diodes Incorporated

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 4 A、重复反向电压（Vrrm） 40 V、正向电压（Vf） 500 mV，采用 SMB (DO-214AA) 封装。

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