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原厂资料

13 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
71V67903S80PFGRenesas
  • 71V67903S80BG
2022-02-28查看资料
71V67903S80PFG8Renesas
  • 71V67903S80BG8
2022-02-28查看资料
71V67903S80PFGIRenesas
  • 71V67903S80BQI
2022-02-28查看资料
71V67903S80PFGI8Renesas
  • 71V67903S80BQI8
2022-02-28查看资料
ADXRS300WABGZA-RLAnalog Devices
  • ADXRS800WBRGZ-RL
2018-02-23查看资料
42019293Infineon
  • S29GL064S80DHB020
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7GA6Y0020Infineon
  • S29GL064S80TFB040
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A2C00045435AInfineon
  • S29GL064S80BHB043
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A2C00045440AInfineon
  • S29GL064S80BHB043
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FSS804-TL-Eonsemi
  • NTMS4802N
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MPS8098Gonsemi
  • MPS8099G
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MPS8099RLRMGonsemi
  • MPS8099RLRAG
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STPS1045HRSTMicroelectronics
  • STPS80A45CHR
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第三方参考

来源:第三方数据源非原厂公告

49 个原型号
原型号

71V2546S100PFG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V2546S133PFG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V2556S100PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V2556S166PFG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V25761S183PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V3557S80PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V2556S150PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V35761S166BG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80BGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V35761S166PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V35761S183BGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80BGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V3577S75BGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80BGIRenesas Electronics Corporation相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

649 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

S8010NRP

Littelfuse

主要参数包括额定重复断态电压(VDRM) 800 V、VDRM 下断态漏电流(IDRM) 10 uA、通态有效值电流(It RMS) 10 A、门极触发电压(Vgt) 1.5 V、门极触发电流(Igt) 15 mA、最大维持电流(Ih) 30 mA,采用 D2PAK-2 (TO-263-2) 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs
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S8010NTP

Littelfuse

采用 D2PAK-2 (TO-263-2) 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs
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S8010R

Littelfuse

主要参数包括类型 SCRs、最大转折电流(IBO) 100 A、额定重复断态电压(VDRM) 800 V、VDRM 下断态漏电流(IDRM) 10 uA、通态有效值电流(It RMS) 10 A、正向电压(Vf) 1.6 V,采用 TO-220-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs
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S8010RTP

Littelfuse

主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 125 C、类型 Standard SCRs、额定重复断态电压(VDRM) 800 V、VDRM 下断态漏电流(IDRM) 10 uA、通态有效值电流(It RMS) 10 A、正向电压(Vf) 1.6 V,采用 TO-220-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs
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S8010VTP

Littelfuse

主要参数包括类型 SCRs、最大转折电流(IBO) 100 A、额定重复断态电压(VDRM) 800 V、VDRM 下断态漏电流(IDRM) 10 uA、通态有效值电流(It RMS) 10 A、正向电压(Vf) 1.6 V,采用 TO-251-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs
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S8012DRP

Littelfuse

主要参数包括类型 Sensitive SCRs、最大转折电流(IBO) 120 A、额定重复断态电压(VDRM) 800 V、VDRM 下断态漏电流(IDRM) 10 uA、通态有效值电流(It RMS) 12 A、正向电压(Vf) 1.6 V,采用 DPAK-2 (TO-252-2) 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs
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S8012DTP

Littelfuse

主要参数包括类型 SCRs、最大转折电流(IBO) 120 A、额定重复断态电压(VDRM) 800 V、VDRM 下断态漏电流(IDRM) 10 uA、通态有效值电流(It RMS) 12 A、正向电压(Vf) 1.6 V,采用 DPAK-2 (TO-252-2) 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs
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S8012NRP

Littelfuse

主要参数包括额定重复断态电压(VDRM) 800 V、VDRM 下断态漏电流(IDRM) 20 uA、通态有效值电流(It RMS) 12 A、门极触发电压(Vgt) 1.5 V、门极触发电流(Igt) 20 mA、最大维持电流(Ih) 40 mA,采用 D2PAK-2 (TO-263-2) 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs
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S8012NTP

Littelfuse

主要参数包括VDRM 下断态漏电流(IDRM) 10 uA,采用 D2PAK-2 (TO-263-2) 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs
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S8012RTP

Littelfuse

主要参数包括VDRM 下断态漏电流(IDRM) 10 uA,采用 TO-220-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs
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